平板端射天線陣饋電特性的研究
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表6實測條件下各單元中心頻點(diǎn)處駐波比值表
2.8 | 2.8 | 3.1 | 3 | 2.9 |
3.5 | 3.3 | 3.6 | 3.5 | 3.2 |
2.9 | 2.9 | 3.2 | 3 | 2.8 |
3.05 | 3.4 | 3.5 | 3.2 | 3.4 |
2.7 | 2.8 | 3.2 | 2.9 | 3.1 |
表7實測條件下各單元中心頻點(diǎn)處輸入阻抗的
電阻值表（單位：歐姆）
48.5 | 37.1 | 48.8 | 53.2 | 46.3 |
42.5 | 43 | 43.5 | 43.2 | 48.5 |
29.7 | 44 | 52.6 | 57.1 | 47.6 |
52.2 | 58.8 | 53.8 | 53.3 | 52.7 |
45.5 | 45.1 | 46.3 | 47.6 | 44.6 |
表8實測條件下各單元中心頻點(diǎn)處輸入阻抗的電抗值表（單位：歐姆）
53.6 | 45.4 | 60.1 | 60.1 | 54.2 |
61.6 | 58.6 | 63.2 | 61.9 | 61.6 |
38 | 52.8 | 64.1 | 61.3 | 53.1 |
60 | 69.6 | 69.1 | 63.9 | 67.8 |
50 | 50.8 | 58.7 | 55.8 | 55.8 |
4結(jié)果比較及分析
將軟件仿真中所做的25單元組陣的仿真結(jié)果和實驗測試中5×5方陣的中心單元的所測數(shù)據(jù)進(jìn)行對比，繪制成如下表格。
表925單元陣中心單元各項特性的
仿真結(jié)果與實測結(jié)果對比表
軟件仿真 | 實驗測試 | |
S11幅度（dB） | -5.209 | -5.5 |
S11相位（度） | 64.113 | 55.6 |
駐波比 | 3.434 | 3.2 |
輸入阻抗（歐） | 43.10+61.05j | 52.6+64.1j |
對比兩組數(shù)據(jù)結(jié)果，顯然比較接近，說明在用軟件模擬小陣排列時所計算的結(jié)果在一定程度上與實測結(jié)果相吻合，仿真所觀察到的互耦影響的變化規(guī)律是有助于分析實際天線的工作狀況。為了進(jìn)一步比較仿真和實測的互耦變化規(guī)律，本文將5×5方陣的中間一列數(shù)據(jù)提取出來，并且以中心點(diǎn)數(shù)據(jù)為單位做歸一化處理，得到各自的數(shù)組并繪制成表，如下所示。
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