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            平板端射天線陣饋電特性的研究

            作者: 時(shí)間:2014-03-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/259547.htm

            1引言

            陣列天線在現(xiàn)今的通信、雷達(dá)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,在實(shí)際工作中,陣列天線的每一個(gè)天線單元都是開放型電路,各單元之間并不是完全隔離的而是存在著。是天線陣,尤其是小間距天線陣和大型天線陣天線綜合中的一個(gè)關(guān)鍵性問題,對設(shè)備的系統(tǒng)性的優(yōu)劣具有決定性作用。問題的存在會(huì)影響天線的輻射性能。一般來說,互耦使饋入某一天線能量的一部分被其他天線單元所吸收,因而整個(gè)陣列天線系統(tǒng)輻射性能就會(huì)下降。因此人們一直在尋找去除耦合的有效途徑,如增大單元間距,或者改變陣列的結(jié)構(gòu)形式等方法。然而互耦作為一種物理現(xiàn)象是不可能完全消除的,它或多或少地存在于天線單元之間,因此有必要弄清互耦對陣列天線的影響,從而為抑制或補(bǔ)償單元在陣列中的互偶效應(yīng)奠定理論和實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)。

            現(xiàn)階段,國內(nèi)外對于陣列天線的互耦研究一般以微帶陣,喇叭陣,側(cè)射陣和算法居多,在端射天線陣的互耦方面,很少見到公開報(bào)道。

            本文通過軟件仿真,研究了互耦對端射天線陣列的影響,并對實(shí)際工作的平板端射天線陣的每一單元逐個(gè)測試,對比仿真和實(shí)測的結(jié)果,驗(yàn)證了仿真情況下獲得的和阻抗特性的變化規(guī)律。

            2計(jì)算仿真

            圖1所示是仿真系統(tǒng)下建立的一個(gè)平板端射天線單元的模型。

            圖1單個(gè)平板端射天線模型

            該天線采用的是同軸線饋電的方式,工作頻點(diǎn)為3Ghz,設(shè)置的仿真頻段范圍是2.5~3.5Ghz,邊界條件設(shè)置為自由空間。通過運(yùn)算后,得到s11幅度及相位的數(shù)據(jù),駐波比曲線,輸入阻抗曲線,三維方向圖和增益依次如下所示。

            圖21單元仿真vswr結(jié)果圖

            圖31單元仿真輸入阻抗圓圖結(jié)果圖

            圖41單元仿真三維方向圖及增益結(jié)果圖

            由仿真可知,3Ghz處的s11幅度為-5.16dB,相位是79.37°,駐波比為3.46,輸入阻抗為32.1+50.2j,增益為14.62dB。

            接下來的仿真實(shí)驗(yàn)就是針對陣列的耦合影響所做的從軸向、橫向以及小陣的不同角度進(jìn)行仿真分析。首先把軸向仿真的結(jié)果繪制成表格,如下所示,其中2a代表的是前面放置1單元的2元組陣形式,2b代表的是后面放置1單元的2元組陣形式,8a代表的是前面放置4單元,后面放置3單元的8元組陣形式,8b代表的是前面放置3單元,后面放置4單元的組陣形式。

            表1軸向排列陣列仿真結(jié)果匯總表

            單元數(shù)

            S11幅度(dB)

            S11相位(度)

            駐波比

            輸入阻抗(歐)

            增益(dB)

            2a

            -5.0

            80.23

            3.57

            30.9+50.4j

            12.83

            2b

            -5.37

            79.41

            3.34

            33.0+49.5j

            14.29

            3

            -5.1

            80.16

            3.5

            31.4+50.0j

            12.58

            5

            -5.13

            80.25

            3.49

            31.5+49.8j

            12.15

            7

            -5.14

            80.24

            3.48

            31.5+49.8j

            12.23

            8a

            -5.14

            80.24

            3.48

            31.5+49.8j

            12.23

            8b

            -5.14

            80.24

            3.48

            31.5+49.8j

            12.26

            縱觀整張表格,我們可以發(fā)現(xiàn)這樣幾處特點(diǎn):第一,處于陣列中的陣單元受耦合影響是顯然存在的,其中對于s11幅度,駐波比,和增益的影響最大,單元數(shù)少時(shí),輸入阻抗變化明顯,但單元數(shù)增多后,輸入阻抗變化較小了;第二,同樣是2元的陣列時(shí),位于被測天線前的單元對主元有遮擋效應(yīng),位于后方的單元對主元有反射效應(yīng),但是即使只有反射效應(yīng)的時(shí)候,增益比獨(dú)立的單元還是低了0.33dB,說明耦合對陣中單元的影響是會(huì)降低增益的;第三,當(dāng)單元數(shù)逐漸增大后,被測單元的各項(xiàng)指標(biāo)已趨于穩(wěn)定,說明相隔較遠(yuǎn)的陣元對被測單元的耦合影響逐漸減弱,相隔一個(gè)以上單元位置的耦合影響可以忽略不計(jì)??偟膩碚f,軸向的耦合影響使被測單元增益降低了約2dB。


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