當(dāng)然，在電路設(shè)計(jì)中，正確的熱管理并不只是簡(jiǎn)單地選擇具有最佳熱屬性的電路層壓板。有許多其它因素會(huì)影響工作在給定功率電平和頻率的電路的溫度。例如，電路材料由耗散因數(shù)來表征，它是由介電材料引起的損耗。還有通過傳導(dǎo)性傳輸線（例如微帶線或帶狀線電路）的損耗，并且越高的插入損耗，將導(dǎo)致傳輸線在較高的功率電平下產(chǎn)生越多的熱量。PCB上銅導(dǎo)體的粗糙性會(huì)導(dǎo)致插損的增加，特別是在較高頻率時(shí)。

此外，PCB材料介電常數(shù)的選擇將決定微 波/射頻電路的尺寸和密度，因?yàn)槲⒉▊鬏斁€結(jié)構(gòu)的尺寸取決于要處理的信號(hào)波長(zhǎng)。當(dāng)相對(duì)介電常數(shù)較大時(shí)，達(dá)到給定阻抗所需的傳輸線的尺寸會(huì)較小，而PCB的功率處理能力將受限于導(dǎo)線的寬度和插損以及地平面間距。舉例來說，對(duì)于一個(gè)放大器電路，選擇具有較小相對(duì)介電常數(shù)的PCB材料，對(duì)于給定阻抗可以使傳輸線 更寬，從而改善熱流。使用相對(duì)介電常數(shù)較大的PCB材料，將導(dǎo)致更細(xì)的傳輸線尺寸和間距更密的電路，因而在大功率電路中可能形成熱點(diǎn)。另外，選擇低耗散因 數(shù)的材料，有助于最大程度地減小傳輸線的插損，并優(yōu)化放大器電路的增益。

借助免費(fèi)的MWI 2010微波阻抗計(jì)算器軟件，我們仿真了幾種不同PCB層壓板在大功率電平下使用時(shí)的特性，并把MOT作為決定每種材料實(shí)際能夠處理的最大射頻功率的關(guān)鍵 參數(shù)。每種材料的MOT假設(shè)為+105℃。在每個(gè)計(jì)算用例中，使用的環(huán)境溫度都是+25℃（室溫），同時(shí)，針對(duì)不同的功率電平，對(duì)環(huán)境溫度以上的溫升作了預(yù)測(cè)。每種材料上都使用2盎司的銅作為導(dǎo)電疊層，制作了相同的20mil厚、50Ω微帶線測(cè)試電路。在把高Tg FR-4層壓板與Rogers公司的RO4350B層壓板相比較后可以發(fā)現(xiàn)，在800MHz時(shí)，對(duì)于可比的溫升，功率處理能力的預(yù)測(cè)差異非常顯著（圖 2）。在射頻功率電平約40W時(shí)，F(xiàn)R-4相對(duì)于環(huán)境的溫升約為+75℃；而RO4350B層壓板相對(duì)環(huán)境溫升約+77℃時(shí)的射頻功率幾乎接近250W。

圖2：MWI 2010微波阻抗計(jì)算器的預(yù)測(cè)表明，與工作在800MHz的高Tg值FR-4和RO4350B層壓板相比，RT/duroid 6035HTC的高熱導(dǎo)率轉(zhuǎn)換成更高的功率處理能力

把RT/duroid 6035HTC層壓板增加到2GHz更高頻率的MWI 2010仿真中，并假設(shè)電路與材料（2盎司銅）條件與800MHz仿真時(shí)相同，在溫升高于環(huán)境溫度接近+90℃時(shí)，F(xiàn)R-4實(shí)際表現(xiàn)出較低的功率處理能力 （約25W）；而工作在2GHz的RO4350B對(duì)于約150W的射頻功率，顯示出接近+85℃的溫升（圖3）。RT/duroid 6035HTC專門針對(duì)大功率使用而設(shè)計(jì)，經(jīng)過這些MWI 2010仿真表明，它在2GHz頻率、350W射頻功率以上工作時(shí)，相對(duì)環(huán)境的溫升僅超過+80℃。這些仿真使我們不僅更加意識(shí)到了RT/duroid 6035HTC層壓板在大功率電平下的期望能力，而且更加認(rèn)識(shí)了另外兩種材料的功率處理能力對(duì)頻率的依賴性。

圖3：這些仿真結(jié)果表明，與工作在2GHz的高Tg FR-4和RO4350B層壓板相比， RT/duroid 6035HTC的高熱導(dǎo)率能轉(zhuǎn)換成更高的功率處理能力。

當(dāng)上述三種材料用相同測(cè)試電路進(jìn)行測(cè)試，但每種電路接收相同頻率和功率電平的測(cè)試信號(hào)時(shí)，高Tg FR-4展現(xiàn)出最高的溫升——達(dá)到+109℃（+229℉）或相對(duì)環(huán)境溫度升高了+84℃；RO4350B層壓板的溫升為+56℃，從+25℃上升到了+82℃（+180℉）；RT/duroid 6035HTC在相同測(cè)試條件下，相對(duì)環(huán)境的溫升僅為+36℃（從+25℃到+62℃）。