圖6是導(dǎo)通孔的材料使用導(dǎo)電膠的方式。使用多層板的層間連接所用的銅(Cu)，銀(Ag)和燒結(jié)合金等材料，通過壓接或者金屬結(jié)合而連接元件。

　　圖6表示了在聚酰亞胺多層板上嵌入經(jīng)過背面研磨而薄型化的WLP例。嵌入的LSI經(jīng)過WLP加工使電極的節(jié)距擴(kuò)大到與PCB的導(dǎo)通孔同樣的節(jié)距，厚度達(dá)到0.1 mm以下的薄型化。基板上形成的導(dǎo)通孔填充未固化的導(dǎo)電膠，基板/WLP和隔板(Spacer)/基板積層，一次加熱加壓。加熱過程中依次進(jìn)行導(dǎo)通孔中填充的導(dǎo)電膠固化，粘結(jié)材的流動和固化，同時完成了PCB/WLP之間的電氣連接和嵌入粘結(jié)。利用導(dǎo)電膠導(dǎo)通孔的一次積層法中，由于在PCB的積層與元件的嵌入以前已經(jīng)形成全層的線路，所以具有降低元件嵌入以后所發(fā)生的不良率的優(yōu)越性。為了使該工藝適應(yīng)將來的LSI的多針化，與裸芯片連接的導(dǎo)通孔節(jié)距的微細(xì)化是今后的課題。

　　4.2 芯片安裝(Mounting)方式

　　圖7表示了使用激光導(dǎo)通孔加工和鍍層連接的元件嵌入工藝。把嵌入的元件置于基板的一部分上設(shè)置的空腔(Cavity)內(nèi)，然后用樹脂填充而嵌入元件。使用厚銅(Cu)芯的基板，利用銅(Cu)的蝕刻形成空腔。芯板一面上貼附樹脂片，堵塞空腔的一側(cè)以后，在它的底面上固定元件。空腔的開口側(cè)積層樹脂片并進(jìn)行加熱，空腔內(nèi)壁與元件的間隙用樹脂填充使元件固定。嵌入元件的電極上的樹脂形成激光導(dǎo)通孔開口。采用半加成法形成基板表層線路的同時采用鍍銅(Cu)層填充導(dǎo)通孔。基板正反面的連接，空腔形成時預(yù)先在銅(Cu)芯的一部分開口，充填樹脂以后采用激光形成貫通孔。采用該技術(shù)的基板具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性，尤其是嵌入發(fā)熱量多的元件時具有高散熱性的特征。

　　圖8表示了利用一次積層法的元件嵌入工藝的概念圖，作為利用導(dǎo)電膠的一次積層法的無源元件埋入技術(shù)，Ag-Sn系合金材料用于導(dǎo)通孔，LCP用作絕緣材料。配置元件處形成空腔的單面板積層規(guī)定的枚數(shù)，與此同時元件插入空腔以后進(jìn)行加熱加壓。導(dǎo)通孔內(nèi)填充的由Ag和Sn構(gòu)成的膠材料由于加熱而燒結(jié)，與此同時Sn擴(kuò)散到線路板和元件的Cu電極上形成金屬結(jié)合。熱可塑性材料LCP(Liquid CrystalPolymer)由于加熱而軟化，使基板之間接合，與此同時流入到元件與空腔的間隙而嵌入元件。加熱加壓過程中由于樹脂的流動影響到導(dǎo)通孔形成，元件與小型基板的間隙附近存在導(dǎo)通孔時，樹脂流通的精確控制對于確保連接可靠性至關(guān)重要。