2014年6月16日——英飛凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二極管，進一步擴展了碳化硅產(chǎn)品陣容。新的1200V碳化硅二極管在工作溫度范圍內(nèi)提供超低正向電壓，其浪涌電流承受能力提高了一倍以上，并且具備卓越的散熱性能。得益于這些特性，該產(chǎn)品可以在太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、三相SMPS(開關(guān)電源)和電機驅(qū)動等應用中大大提高效率，并且可靠運行。

　　“第五代”碳化硅二極管采用了新的緊湊式芯片設計，將PN結(jié)設計融合到肖特基二極管單元場中。這種設計降低了芯片區(qū)的微分電阻。因此，二極管損耗比之上一代產(chǎn)品降低了多達30%，譬如在20 kHz頻率上以滿負荷工作的三相太陽能逆變器的前端升壓級中。

　　結(jié)溫為150°C時，典型正向電壓僅為1.7V，這比上一代產(chǎn)品降低了30%。這個值也是當前市場上的1200V碳化硅二極管中最低的正向電壓值。因此，這款新的碳化硅二極管特別適用于以相對較高負荷工作的應用，如不間斷電源系統(tǒng)。此外，即使工作在較低開關(guān)頻率下，也能提高系統(tǒng)效率。

　　取決于二極管電流等級，它可實現(xiàn)最高14倍于標稱電流的浪涌電流承受能力，這保證了二極管在應用發(fā)生浪涌電流時實現(xiàn)可靠運行。這樣便無需使用旁路二極管，從而降低了復雜度，減少了系統(tǒng)成本。

　　英飛凌IGBT和碳化硅分立功率器件營銷總監(jiān)Roland Stele表示：“英飛凌致力于提供有助于客戶最大限度提高其設計效率的產(chǎn)品，新的第五代碳化硅二極管實現(xiàn)了這一目標。由于降低了二極管損耗，該產(chǎn)品適用于范圍更廣的開關(guān)頻率，同時，它具備更強的浪涌電流承受能力，可實現(xiàn)更高可靠性。最新一代英飛凌碳化硅肖特基二極管是朝著充分挖掘碳化硅材料潛力邁出的一大步。”

　　在升壓拓撲和功率因素校正(PFC)升壓拓撲中結(jié)合新的1200V thinQ!碳化硅肖特基二極管和英飛凌出類拔萃的1200V Highspeed3 IGBT能夠全面提升系統(tǒng)性能。相比于采用傳統(tǒng)硅二極管的解決方案，通過降低導通損耗(這允許使用更小尺寸的散熱片或提高效率)和降低EMI(更小巧的更高性價比的EMI濾波器)，不僅降低了二極管損耗，而且改善了Highspeed3 IGBT的性能。

供貨

　　第五代碳化硅二極管采用TO-247、TO-220和DPAK封裝。此外，還提供了采用TO-247封裝共陰極的出類拔萃的全新40A二極管可用于交錯式拓撲，進一步了節(jié)省空間?，F(xiàn)已可提供TO-247封裝樣品，該系列將從2014年7月量產(chǎn)。其他封裝系列將于2015年推出。