IGBT和MOSFET器件的隔離驅動技術
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開關電源中大功率器件驅動電路的設計一向是電源領域的關鍵技術之一。普通大功率三極管和絕緣柵功率器件（包括MOSFET場效應管和IGBT絕緣柵雙極性大功率管等），由于器件結構的不同，具體的驅動要求和技術也大不相同。前者屬于電流控制器件，要求合適的電流波形來驅動；后者屬于電場控制器件，要求一定的電壓來驅動。本文只介紹后者的情況。
MOSFET場效應管（以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件）的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅動功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和需要關斷時需要一定的動態(tài)驅動功率。小功率MOSFET管的Cgs一般在10-100pF之內，對于大功率的絕緣柵功率器件，由于柵極電容Cgs較大。一般在1-100nF之間，因而需要較大的動態(tài)驅動功率。更由于漏極到柵極的密勒電容Cdg，柵極驅動功率往往是不可忽視的[1]。
因IGBT具有電流拖尾效應，在關斷時要求更好的抗干擾性，需要負壓驅動。MOSFET速度比較快，關斷時可以沒有負壓，但在干擾較重時，負壓關斷對于提高可靠性有很大好處。
2 現(xiàn)在隔離驅動技術情況
為可靠驅動絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當驅動信號與功率器件不需要隔離時，驅動電
路的設計是比較簡單的，目前也有了許多優(yōu)秀的驅動集成電路，如國際整流器公司的IR2110。當需要驅動器的輸入端與輸出端電氣隔離時，一般有兩種途徑：采用光電耦合器，或是利用脈沖變壓器來提供電氣隔離。
2.1 光電耦合器隔離的驅動器
光電耦合器的優(yōu)點是體積小巧，缺點是：A、反應較慢，因而具有較大的延遲時間（高速型光耦一般也大于300ns）；B、光電耦合器的輸出級需要隔離的輔助電源供電。
2.2 無源變壓器驅動
用脈沖變壓器隔離驅動絕緣柵功率器件有三種方法：無源、有源和自給電源驅動。
無源方法就是用變壓器次級的輸出直流驅動絕緣柵器件，這種方法很簡單也不需要單獨的驅動電源。缺點是輸出波型失真較大，因為絕緣柵功率器件的柵源電容Cgs一般較大。減小失真的辦法是將初級的輸入信號改為具有一定功率的大信號，相應脈沖變壓器也應取較大體積，但在大功率下，一般仍不令人滿意。另一缺點是當占空比變化較大時，輸出驅動脈沖的正負幅值變化太大，可能導致工作不正常，因此只適用于占空比變化不大的場合。
2.3 有源變壓器驅動
有源方法中的變壓器只提供隔離的信號，在次級另有整形放大電路來驅動絕緣柵功率器件，當然驅動波形較好，但是需要另外提供單獨的輔助電源供給放大器。而輔助電源如果處理不當，可能會引進寄生的干擾。
2.4 調制型自給電源的變壓器隔離驅動器
采用自給電源技術，只用一個變壓器，既省卻了輔助電源，又能得到較快的速度，當然是不錯的方法。目前自給電源的產(chǎn)生有調制和從分時兩種方法。
調制技術是比較經(jīng)典的方法，即對PWM驅動信號進行高頻（幾個MHZ以上）調制，并將調制信號加在隔離脈沖變壓器初級，在次級通過直接整流得到自給電源，而原PWM調制信號則需經(jīng)過解調取得，顯然，這種方法并不簡單。調制式的另一缺點是PWM的解調要增加信號的延時，調制方式適于傳遞較低頻率的PWM信號。
2.5 分時型自給電源的變壓器隔離驅動器[2]
分時技術是一種較新的技術，其原理是，將信號和能量的傳送采取分別進行的方法，即在變壓器輸入PWM信號的上升和下降沿傳遞信息，在輸入信號的平頂階段傳遞驅動所需要的能量。由于在PWM信號的上升和下降沿只傳遞信號，基本沒有能量傳輸，因而輸出的PWM脈沖的延時和畸變都很小，能獲得陡峭的驅動輸出脈沖。分時型自給電源驅動器的不足是用于低頻時變壓器的體積較大，此外由于自給能量的限制，驅動超過300A/1200V的IGBT比較困難。
3 市場上的驅動器產(chǎn)品簡介
當前市場上的成品驅動器，按驅動信號與被驅動的絕緣柵器件的電器關系來分，可分為直接驅動和隔離驅動兩種，其中隔離驅動的隔離元件有光電耦合器和脈沖變壓器兩種。
3.1 不隔離的直接驅動器
在Boost 、正激或反激等電路中，功率開關管的源極位于輸入電源的下軌，PWM IC 輸出的驅動信號一般不必與開關管隔離，可以直接驅動。如果需要較大的驅動能力，可以加接一級放大器或是串上一個成品驅動器。直接驅動的成品驅動器一般都采用薄膜工藝制成IC電路，調節(jié)電阻和較大的電容由外引腳接入。
目前的這類成品驅動器種類不少，如TI公司的UCC37XX系列、TOSIBA公司的TPS28XX系列、Onsemi公司的MC3315X系列、SHARP公司的PC9XX系列、IR公司的IR21XX系列，等等，種類繁多，本文不作具體介紹，讀者可查閱相關資料。
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