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            EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 基于開(kāi)爾文四線(xiàn)法進(jìn)行接觸電阻的測(cè)量實(shí)例

            基于開(kāi)爾文四線(xiàn)法進(jìn)行接觸電阻的測(cè)量實(shí)例

            作者: 時(shí)間:2013-01-08 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            ASTM的方法B539 “測(cè)量電氣連接的”和MIL-STD-1344的方法3002“低信號(hào)電平”是通常用于測(cè)量的兩種方法。通常,一些基本的原則都采用進(jìn)行接觸電阻的測(cè)量。接觸電阻就是電流流過(guò)閉合的接觸點(diǎn)對(duì)時(shí)的電阻。這類(lèi)測(cè)量是在諸如連接器、繼電器和開(kāi)關(guān)等元件上進(jìn)行的。接觸電阻一般非常小其范圍在微歐姆到幾個(gè)歐姆之間。根據(jù)器件的類(lèi)型和應(yīng)用的情況,測(cè)量的方法可能會(huì)有所不同。

            測(cè)量方法

            圖4-42 說(shuō)明用來(lái)測(cè)試一個(gè)接點(diǎn)的接觸電阻的基本配置。使用具有四端測(cè)量能力的歐姆計(jì),以避免在測(cè)量結(jié)果中計(jì)入引線(xiàn)電阻。將電流源的端子接到該接點(diǎn)對(duì)的兩端。取樣(Sense)端子則要連到距離該接點(diǎn)兩端電壓降最近的地方。其目的是避免在測(cè)量結(jié)果中計(jì)入測(cè)試引線(xiàn)和體積電阻(bulk resistance)產(chǎn)生的電壓降。體積電阻就是假定該接點(diǎn)為一塊具有相同幾何尺寸的金屬實(shí)體,而使其實(shí)際接觸區(qū)域的電阻為零時(shí),整個(gè)接點(diǎn)所具有的電阻,設(shè)計(jì)成只有兩條引線(xiàn)的器件有的時(shí)候很難進(jìn)行四線(xiàn)連接。器件的形式?jīng)Q定如何對(duì)其進(jìn)行連接。一般,應(yīng)當(dāng)盡可能按照其正常使用的狀態(tài)來(lái)進(jìn)行測(cè)試。在樣品上放置電壓探頭時(shí)不應(yīng)當(dāng)使其對(duì)樣品的機(jī)械連接產(chǎn)生影響。例如,焊接探頭可能會(huì)使接點(diǎn)發(fā)生不希望的變化。然而,在某些情況下,焊接可能是不可避免的。被測(cè)接點(diǎn)上的每個(gè)連接點(diǎn)都可能產(chǎn)生熱電動(dòng)勢(shì)。然而,這種熱電動(dòng)勢(shì)可以用電流反向或偏置補(bǔ)償?shù)姆椒▉?lái)補(bǔ)償。

            干電路(Dry Circuit)測(cè)試

            通常,測(cè)試接點(diǎn)電阻的目的是確定接觸點(diǎn)氧化或其它表面薄膜積累是否增加了被測(cè)器件的電阻。即使在極短的時(shí)間內(nèi)器件兩端的電壓過(guò)高,也會(huì)破壞這種氧化層或薄膜,從而破壞測(cè)試的有效性。擊穿薄膜所需要的電壓電平通常在30mV到100mV的范圍內(nèi)。

            在測(cè)試時(shí)流過(guò)接點(diǎn)的電流過(guò)大也能使接觸區(qū)域發(fā)生細(xì)微的物理變化。電流產(chǎn)生的熱量能夠使接觸點(diǎn)及其周?chē)鷧^(qū)域變軟或熔解。結(jié)果,接點(diǎn)面積增大并導(dǎo)致其電阻降低。

            為了避免這類(lèi)問(wèn)題,通常采用干電路的方法來(lái)進(jìn)行接點(diǎn)電阻測(cè)試。干電路就是將其電壓和電流限制到不能引起接觸結(jié)點(diǎn)的物理和電學(xué)狀態(tài)發(fā)生變化電平的電路。這就意味著其開(kāi)路電壓為20mV或更低,短路電流為100mA或更低。

            由于所使用的測(cè)試電流很低,所以就需要非常靈敏的電壓表來(lái)測(cè)量這種通常在微伏范圍的電壓降。由于其它的測(cè)試方法可能會(huì)引起接點(diǎn)發(fā)生物理或電學(xué)的變化,所以對(duì)器件的干電路測(cè)量應(yīng)當(dāng)在進(jìn)行其它的電學(xué)測(cè)試之前進(jìn)行。

            使用微歐姆計(jì)或數(shù)字多用表

            圖4-42示出使用Keithley 580型微歐姆計(jì)、2010型數(shù)字多用表或2750型數(shù)字多用表數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)進(jìn)行四線(xiàn)接觸電阻測(cè)量的基本配置情況。這些儀器能夠采用偏置補(bǔ)償模式自動(dòng)補(bǔ)償取樣電路中的熱電勢(shì)偏置,并且還具有內(nèi)置的干電路測(cè)量能力。對(duì)于大多數(shù)的應(yīng)用來(lái)說(shuō),微歐姆計(jì)或數(shù)字多用表足以用來(lái)進(jìn)行接觸電阻的測(cè)量工作。如果短路電流或者被測(cè)電阻值比微歐姆計(jì)或數(shù)字多用表的技術(shù)指標(biāo)小得很多,則必須使用納伏表加精密電流源的組合來(lái)進(jìn)行。

            使用納伏表和電流源

            圖4-43示出使用Keithley 2182A型納伏表和2400系列數(shù)字源表儀器進(jìn)行接觸電阻測(cè)量的測(cè)試配置情況。

            2400系列儀器強(qiáng)制電流流過(guò)接點(diǎn),而納伏表則測(cè)量接點(diǎn)兩端產(chǎn)生的電壓降。為了進(jìn)行干電路測(cè)試,設(shè)置數(shù)字源表的鉗位電壓為20mV,這樣就把電路的開(kāi)路電壓鉗位到20mV。為了保證鉗位電壓只出現(xiàn)在接點(diǎn)兩端,而不是出現(xiàn)在測(cè)試引線(xiàn)的兩端,該數(shù)字源表采用四線(xiàn)模式。在使用較大的電流時(shí),這一點(diǎn)特別重要。因?yàn)楹徒狱c(diǎn)兩端的電壓降相比,測(cè)試引線(xiàn)兩端的電壓降可能會(huì)比較大。

            為了避免發(fā)生瞬變現(xiàn)象,一定要先將電流源關(guān)閉,然后再把接點(diǎn)接入測(cè)試夾具或?qū)⑵鋽嚅_(kāi)。將一個(gè)100Ω的電阻器直接跨接在電流源的輸出端,能夠進(jìn)一步降低瞬變現(xiàn)象。

            可以使用電流反向法將熱電勢(shì)偏置降至最小。2182A的Delta模式與數(shù)字源表儀器配合可以自動(dòng)地實(shí)現(xiàn)這種技術(shù)。在這種模式下,2182A 自動(dòng)地觸發(fā)電流源改變極性,然后對(duì)每一種極性觸發(fā)測(cè)量一個(gè)讀數(shù)。接著,2182A顯示“經(jīng)過(guò)補(bǔ)償”的電壓值:

            接點(diǎn)電阻則可計(jì)算如下:

            其中:I = 測(cè)試電流的絕對(duì)值。



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