接觸電阻文章進(jìn)入接觸電阻技術(shù)社區(qū)

兩個(gè)小的電路設(shè)計(jì)失誤

　　簡介：今天寫兩個(gè)電路設(shè)計(jì)失誤，第一個(gè)是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設(shè)計(jì)者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識(shí)。　　　　第一個(gè)失誤的主要原因是，設(shè)計(jì)者錯(cuò)誤估算了R1的大小。其設(shè)計(jì)的值太大，導(dǎo)致Ib太小。　　這里把等效的模型轉(zhuǎn)換成如下：　　　　以上的模型描述了輸入和輸出的模型，正式計(jì)算的分成兩個(gè)部分。　　　　求解基極電流Ib 　　求解集電極電流Ic 　　求解放大比例　　通過這個(gè)比例可得到三極管的狀態(tài)，如
關(guān)鍵字：電流增益接觸電阻

基于開爾文四線法進(jìn)行接觸電阻的測量實(shí)例

ASTM的方法B539“測量電氣連接的接觸電阻”和MIL-STD-1344的方法3002“低信號(hào)電平接觸電阻”是通常用于測...
關(guān)鍵字：開爾文四線法接觸電阻測量實(shí)例

接觸電阻的多種測量方法

接觸電阻就是電流流過閉合的接觸點(diǎn)對時(shí)的電阻。這類測量是在諸如連接器、繼電器和開關(guān)等元件上進(jìn)行的。接觸電阻一般非常小其范圍在微歐姆到幾個(gè)歐姆之間。根據(jù)器件的類型和應(yīng)用的情況，測量的方法可能會(huì)有所不同。AS
關(guān)鍵字：接觸電阻測量方法

半導(dǎo)體參數(shù)測試的關(guān)鍵問題之一――探針的接觸電阻

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體參數(shù) 接觸電阻通常，參數(shù)測試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測器件（DUT），然后測量該器件對于此輸入信號(hào)的響應(yīng)。這些信號(hào)的路徑為：從測試儀通過電纜束至測試頭，再通過測試頭至探針卡，然后通過探針至芯片
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體參數(shù)測試探針接觸電阻

半導(dǎo)體參數(shù)測試的關(guān)鍵問題之一——探針的接觸電阻

通常，參數(shù)測試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測器件（DUT），然后測量該器件對于此輸入信號(hào)的響應(yīng)。這些信號(hào)的路徑為：從測...
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體參數(shù) 接觸電阻

新型納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)

納米級電氣特性
研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會(huì)引起
關(guān)鍵字：納米級接觸電阻測量新技術(shù)

納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)

納米級電氣特性
研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會(huì)引起材料
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接觸電阻介紹

　　----接觸，對導(dǎo)體件呈現(xiàn)的電阻成為接觸電阻。　　一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。有的開關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感。應(yīng)該指出，開關(guān)的接觸電阻是在開關(guān)在若干次的接觸中的所允許的接觸電阻的最大值。　　Contact Area 接觸電阻　　在電路板上是專指金手指與連接器之接觸點(diǎn)，當(dāng)電流通過時(shí)所呈現(xiàn)的電阻之謂。為了減少金屬表面氧化 [ 查看詳細(xì) ]

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接觸電阻文章進(jìn)入接觸電阻技術(shù)社區(qū)

兩個(gè)小的電路設(shè)計(jì)失誤

基于開爾文四線法進(jìn)行接觸電阻的測量實(shí)例

接觸電阻的多種測量方法

高性能接觸電阻測試系統(tǒng)

半導(dǎo)體參數(shù)測試的關(guān)鍵問題之一――探針的接觸電阻

半導(dǎo)體參數(shù)測試的關(guān)鍵問題之一——探針的接觸電阻

新型納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)

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