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            可變R-L-C 元件的SPICE模擬行為建模(圖)

            ——
            作者:安森美半導(dǎo)體 Christophe Basso 時(shí)間:2007-02-06 來源: 收藏

            一些仿真器沒有包含lrc元件的abm方程,采用本文所述的簡(jiǎn)單子電路,可以根據(jù)復(fù)雜的分析表達(dá)式(包括邏輯表達(dá)式)創(chuàng)建無源元件,比如建立非線性電容、時(shí)變電阻等。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/22886.htm

            采用spice仿真電路時(shí),通常需使用可變無源元件,如電阻、電容或電感。如果電源可以從外部控制上述器件的值,自然就可以從中推導(dǎo)出電容和電感的模擬行為建模表達(dá)式:非線性行為、隨電流變化而變化的電感等。然而,很少有基于spice的仿真器可適用于無源元件的內(nèi)嵌方程。為了解決這個(gè)問題,本文將介紹可以通過外部電壓源進(jìn)行器件值調(diào)節(jié)的若干無源元件。

            最簡(jiǎn)單的情況:電阻

            歐姆定律(ohm law)指出:電流i通過電阻r時(shí)產(chǎn)生電壓v。電阻r保持不變時(shí),電流源i的值為(方程1),其中1和2為電阻終端,如圖1所示。


            圖1:電阻可表示成控制電流源

            根據(jù)這個(gè)簡(jiǎn)單的方程,在intusoft的isspice和cadence的pspice下均可形成一個(gè)可變電阻子電路,方程1中的r將通過ctrl節(jié)點(diǎn)由控制電流源直接施加:

            isspice

            .subckt varires 1 2 ctrl
            r1 1 2 1e10
            b1 1 2 i=v(1,2)/(v(ctrl)+1μ)
            .ends

            pspice

            .subckt varires 1 2 ctrl
            r1 1 2 1e10
            g1 1 2 value = { v(1,2)/(v(ctrl)+1μ) }
            .ends

            在電流源表達(dá)式中,如果控制電壓值v(ctrl)接近于零,1μ值不為零,即(v(ctrl)+1μ)不為零,從而避免被除數(shù)被零除。如果v(ctrl)為100kv,則等效電阻為100kω。圖2表示,在子電路上施加一個(gè)簡(jiǎn)單電阻分壓器,相當(dāng)于產(chǎn)生一個(gè)1ω電阻?,F(xiàn)在,可以為v3建立一個(gè)復(fù)雜電壓源,并輕松形成非線性關(guān)系。


            圖2:簡(jiǎn)單電阻分壓器施加在電流源上,產(chǎn)生1ω電阻

            電容是一個(gè)電壓源

            與前面介紹的電阻相類似,電容可以用符合下列定律的電壓源表示:(方程2)。也就是說,如果我們對(duì)流入等效子電路電容的電流進(jìn)行積分,并且將它乘以控制電壓v的倒數(shù),即可得到電容的值c = v! 然而,由于變數(shù)t不斷變化,所以在spice中不存在積分原函數(shù)。因此,應(yīng)該采用方程2,并且使子電路電流流入 1f電容。通過觀察1f電容上得到的電壓,可以對(duì) ic(t) 進(jìn)行積分。圖3顯示了建立子電路的方法。


            圖3:在1f電容上的積分將影響等效電容的建立


            圖4:測(cè)試電路采用方波源對(duì)10uf電容間歇充電

            空電壓源v將電流引入1f電容,在“int”節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生積分電壓,然后,乘以ctrl 節(jié)點(diǎn)電壓的倒數(shù),就可以模擬可變電容。圖5顯示了用實(shí)際電容和可變電容得到的電壓和電流。兩個(gè)圖表之間沒有區(qū)別。


            圖5:可變電容模型和標(biāo)準(zhǔn)電容模型產(chǎn)生相似的波形

            下面是isspice 和pspice中的模型:

            isspice

            .subckt varicap 1 2 ctrl
            r1 1 3 1u
            vc 3 4
            bc 4 2 v=(1/v(ctrl))*v(int)
            bint 0 int i=i(vc)
            cint int 0 1
            .ends

            pspice

            .subckt varicap 1 2 ctrl
            r1131u
            vc34
            ec42value={(1/v(ctrl))*v(int)}
            gint 0 int value = { i(vc) }
            cint int 0 1
            rint int 0 1g
            .ends

            對(duì)測(cè)試也進(jìn)行了交流分析,證實(shí)模型在頻域內(nèi)可以正常工作。

            電感是一個(gè)電流源

            如果對(duì)電感施加電壓,它將保持安培匝數(shù)恒定,相當(dāng)于一個(gè)真正的電流源,這就是對(duì)可變電感建模的方法。根據(jù)楞次定律(lenz law),可以得出:


            圖6:等效l子電路

            方程6表明,需要對(duì)等效電感上的電壓積分,并將它除以控制電壓,得出模擬l。圖6是等效子電路示意圖:
            將端子電壓轉(zhuǎn)換為電流,然后在等效電流中插入1f電容,可以得到電壓積分。子電路網(wǎng)表如下所示。

            isspice

            .subckt varicoil 1 2 ctrl
            bc 1 2 i=v(int)/v(ctrl)
            bint 0 int i=v(1,2)
            cint int 0 1
            .ends

            pspice

            .subckt varicoil 1 2 ctrl
            gc12value={v(int)/v(ctrl)}
            bgint 0 int value={ v(1,2) }
            cint int 0 1
            rint int 0 1g
            .ends


            圖7:采用等效電感的測(cè)試電路

            可以輕易地通過調(diào)整lc濾波器進(jìn)行復(fù)雜的交流分析。如果我們仿真圖7,將會(huì)得到圖8的波形,與圖5中的波形類似。


            圖8:模擬等效l子電路,得出電容結(jié)果的雙重波形



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