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            技術(shù)知識(shí):硅頻率控制器(SFC)-晶體替代市場(chǎng)的寵兒

            作者: 時(shí)間:2014-01-21 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            引言

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/226742.htm

            的主要組成部分是二氧化硅,俗稱石英。石英具有非凡的機(jī)械和壓電特性,使得從19世紀(jì)40年代中期以來一直作為基本的時(shí)鐘器件。如今,只要需要時(shí)鐘的地方,工程師首先想到的就是,但是隨著應(yīng)用的不斷深入,的一些固有的缺陷也隨之暴露出來。如今新技術(shù)不斷涌現(xiàn),并帶來很大的變化。

            晶體的特點(diǎn)及參數(shù)

            封裝

            晶體的封裝如圖1所示,有三部分組成:金屬上蓋,帶有電極的石英片和陶瓷底座。一般來說,還需要向密封殼內(nèi)充氮?dú)狻?/p>

            技術(shù)知識(shí):硅頻率控制器(SFC)-晶體替代市場(chǎng)的寵兒

            圖1 晶體封裝圖

            現(xiàn)在幾乎所有的陶瓷密封裝都是由三家日本公司提供,但是由于日本地震和海嘯,產(chǎn)量嚴(yán)重受影響。今后很長(zhǎng)一段時(shí)間將難以滿足市場(chǎng)需求。

            石英材料

            石英以其固有的壓電特性成為晶體中的主要部分。但是它必須經(jīng)過切割打磨才能使用,由于其厚度非常薄,雖然采取了保護(hù)措施,但是其抗震性一直是大家所擔(dān)心的。

            精度

            所謂精度就是實(shí)際的時(shí)鐘頻率偏離標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘頻率的程度。用公式表示為:

            Error (PPM) = (Factual-Ftarget) / Ftarget * 10E6

            Error:精度

            Factual:實(shí)際頻率

            Ftarget:標(biāo)準(zhǔn)頻率

            PPM:百萬分之一

            晶體的應(yīng)用中,有這幾個(gè)方面需要考慮:

            頻率公差:就是在通常的環(huán)境溫度下(25°C+/-5°C)實(shí)際頻率偏離標(biāo)準(zhǔn)頻率的值。

            頻率溫度特征:就是在整個(gè)溫度變化范圍內(nèi),實(shí)際頻率偏離標(biāo)準(zhǔn)頻率的值。現(xiàn)在通常有三種溫度范圍:0°C--70°C,-20°C--70°C和-40°C--85°C。

            老化:晶體的內(nèi)部特性隨著時(shí)間的推移發(fā)生變化引起的頻率的偏差,稱為晶體的老化。一般來說,第一年晶體的精度受老化的影響為5PPM,以后每年大約為1-3PPM。如果一個(gè)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)生命周期為10年,則老化帶來的頻率精度變化最高可達(dá)32PPM。負(fù)載電容精度變化引起頻率的變化:這個(gè)因素往往容易被忽視。在晶體的應(yīng)用中有兩種工作模式,串行振蕩模式和并行振蕩模式。由于并行模式設(shè)計(jì)靈活并且有很高的輸出精度,現(xiàn)在已成為市場(chǎng)主流。圖2是并行振蕩模式的等效電路圖:

            技術(shù)知識(shí):硅頻率控制器(SFC)-晶體替代市場(chǎng)的寵兒

            圖2 并行振蕩模式等效電路圖

            R1:動(dòng)態(tài)阻抗

            C1:動(dòng)態(tài)電容

            L1:動(dòng)態(tài)電感

            C0:靜態(tài)電容

            CL:負(fù)載電容

            并行

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