a) 預(yù)充電命令的發(fā)出要求:在時(shí)鐘周期的上升沿處CS、RAS、WE 為低，CAS 為高。

　　b) 自刷新命令的發(fā)出要求:在時(shí)鐘周期的上升沿處CS、RAS、CAS 和CKE 保持低，WE 為高。

　　c) 模式寄存器的激活:在時(shí)鐘的上升沿處RAS、CAS、CS 和WE 為低。

　　剛開始時(shí)，外部端口根本不能出現(xiàn)有用的波形，通過AMBA 總線的一些控制線能夠正確地引出，從而排除了該驗(yàn)證平臺(tái)原理的正確性和PCB 上的硬件可靠性的疑問，再將內(nèi)部狀態(tài)機(jī)的各個(gè)信號(hào)采出進(jìn)行分析后，發(fā)現(xiàn)狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)得不能工作，經(jīng)過修改代碼后，重新采集端口信號(hào)如圖6 所示。

　　　　圖6 　預(yù)充電、自刷新 　　

　　從圖6 中tr 線處的時(shí)序看出，上電后滿足預(yù)充電命令的要求，緊接著是8 個(gè)自刷新命令，最后是模式寄存器的設(shè)置，命令字為020H( 00100000B) ，即CASLatency 設(shè)置為2 個(gè)時(shí)鐘周期， Addressing Mode 為Sequential 模式， Burst Length 為1 個(gè)數(shù)據(jù)訪問模式，模式設(shè)置命令通過地址線a02a9 發(fā)出，如圖7 所示。

　　　　圖7 　模式設(shè)置 　　

　　將該SDRAM的地址映射成為從30000000 的地址空間開始的地址，利用SDRAM驅(qū)動(dòng)程序(協(xié)同調(diào)試時(shí)，應(yīng)通過實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)進(jìn)行SDRAM 的讀寫) ， 向以30000000 開始的地址空間連續(xù)寫入300 個(gè)從數(shù)據(jù)0 遞增到299 的數(shù)，截取中間一段波形如圖8 所示。圖6～圖8 中各信號(hào)如下:clk 為同步時(shí)鐘，圖中是10 MHz ;cse 為EMI 的8 個(gè)片選信號(hào)之一，即SDRAM的片選信號(hào)cs；ras 和cas 為SDRAM 的控制信號(hào)；we 為SDRAM 的讀寫控制信號(hào)；bank021 為SDRAM 的4 個(gè)bank 選擇控制信號(hào)；sd10 為既是SDRAM 的控制信號(hào)又是地址信號(hào)a10；a0211 為不包括a10 的地址信號(hào)；dqm021 為字節(jié)選擇信號(hào)；d027 為低位數(shù)據(jù)線。