注意：

1、在CPU 寫Flash 存儲(chǔ)器的時(shí)候不能對EEPROM 進(jìn)行編程。

在啟動(dòng)EEPROM 寫操作之前軟件必須檢查 Flash 寫操作是否已經(jīng)完成

步驟(2) 僅在軟件包含引導(dǎo)程序并允許CPU對Flash 進(jìn)行編程時(shí)才有用。

如果CPU 永遠(yuǎn)都不會(huì)寫Flash，步驟(2) 可省略。

2、如果在步驟5 和6 之間發(fā)生了中斷，寫操作將失敗。

因?yàn)榇藭r(shí)EEPROM 寫使能操作將超時(shí)。

如果一個(gè)操作EEPROM的中斷打斷了另一個(gè)EEPROM操作，EEAR 或EEDR寄存器可能被修改，引起EEPROM 操作失敗。

建議此時(shí)關(guān)閉全局中斷標(biāo)志I。

經(jīng)過寫訪問時(shí)間之后，EEWE 硬件清零。用戶可以憑借這一位判斷寫時(shí)序是否已經(jīng)完成。

EEWE 置位后，CPU要停止兩個(gè)時(shí)鐘周期才會(huì)運(yùn)行下一條指令。

在掉電休眠模式下的EEPROM寫操作：

若程序執(zhí)行掉電指令時(shí)EEPROM 的寫操作正在進(jìn)行， EEPROM 的寫操作將繼續(xù)，并在指定的寫訪問時(shí)間之前完成。

但寫操作結(jié)束后，振蕩器還將繼續(xù)運(yùn)行，單片機(jī)并非處于完全的掉電模式。因此在執(zhí)行掉電指令之前應(yīng)結(jié)束EEPROM 的寫操作。

防止EEPROM數(shù)據(jù)丟失：

若電源電壓過低，CPU和EEPROM有可能工作不正常，造成EEPROM數(shù)據(jù)的毀壞(丟失)。

**這種情況在使用獨(dú)立的EEPROM 器件時(shí)也會(huì)遇到。因而需要使用相同的保護(hù)方案。

由于電壓過低造成EEPROM 數(shù)據(jù)損壞有兩種可能：一是電壓低于EEPROM 寫操作所需要的最低電壓；二是CPU本身已經(jīng)無法正常工作。

EEPROM 數(shù)據(jù)損壞的問題可以通過以下方法解決：當(dāng)電壓過低時(shí)保持AVR RESET信號(hào)為低。這可以通過使能芯片的掉電檢測電路BOD來實(shí)現(xiàn)。如果BOD電平無法滿足要求則可以使用外部復(fù)位電路。若寫操作過程當(dāng)中發(fā)生了復(fù)位，只要電壓足夠高，寫操作仍將正常結(jié)束。(EEPROM在2V低壓下也能進(jìn)行寫操作---有可以工作到1.8V的AVR芯片)

掉電檢測BOD的誤解：

AVR自帶的BOD(Brown-out Detection)電路，作用是在電壓過低(低于設(shè)定值)時(shí)產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，防止CPU意外動(dòng)作。

對EEPROM的保護(hù)作用是當(dāng)電壓過低時(shí)保持RESET信號(hào)為低，防止CPU意外動(dòng)作，錯(cuò)誤修改了EEPROM的內(nèi)容

而我們所理解的掉電檢測功能是指 具有預(yù)測功能的可以進(jìn)行軟件處理的功能。

例如，用戶想在電源掉電時(shí)把SRAM數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到EEPROM，可行的方法是外接一個(gè)在4.5V翻轉(zhuǎn)的電壓比較器(VCC=5.0V,BOD=2.7V)，輸出接到外部中斷引腳(或其他中斷)一但電壓低于4.5V,馬上觸發(fā)中斷，在中斷服務(wù)程序中把數(shù)據(jù)寫到EEPROM中保護(hù)起來。

注意：寫一個(gè)字節(jié)的EEPROM時(shí)間長達(dá)8mS，所以不能寫入太多數(shù)據(jù)，電源濾波電容也要選大一些。

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