在程序中對EEPROM 操作有兩種方式：

方式一：直接指定EERPOM 地址

即讀寫函數(shù)的地址有自己指定，用于需要特定數(shù)據(jù)排列格式的應(yīng)用中

方式二：先定義EEPROM 區(qū)變量法

在這種方式下變量在EEPROM 存儲器內(nèi)的具體地址由編譯器自動分配。

相對方式一，數(shù)據(jù)在EEPROM 中的具體位置是不透明的。

為EEPROM 變量賦的初始值，編譯時被分配到.eeprom 段中，可用avr-objcopy 工具從.elf文件中提取并產(chǎn)生ihex 或binary 等格式的文件， 從而可以使用編程器或下載線將其寫入到器件的EEPROM 中。實際上WINAVR 中MFILE 生成的MAKEFILE 已經(jīng)為我們做了這一切。它會自動生成以 “.eep” 為后綴的文件，通常它是iHex 格式(這次測試發(fā)現(xiàn) 分配地址是從0x0000開始的，故增加了一個EEPROM變量Evalvoid[16])，如果同時使用方式1和2，請注意防止地址重疊,自己指定的地址應(yīng)該選在后面。

*/

//全局變量

unsigned char EDATA;

unsigned char ORGDATA[16]={0x00,0x02,0x04,0x06,0x08,0x0A,0x0C,0x0E,

0x01,0x03,0x05,0x07,0x09,0x0B,0x0D,0x0F}; //原始數(shù)據(jù)

unsigned char CMPDATA[16]; //比較數(shù)據(jù)

//仿真時在watch窗口，監(jiān)控這些全局變量。

//EEPROM 變量定義

unsigned char Evalvoid[16] __attribute__((section(".eeprom"))); //這個沒用到

unsigned char Eval[16] __attribute__((section(".eeprom")));

int main(void)

{

eeprom_write_byte (0x40,0xA5); //向EEPROM的0x40地址寫入數(shù)據(jù) 0xA5

EDATA=eeprom_read_byte (0x40); //讀出，然后看看數(shù)據(jù)對不對？

//上面兩句編譯是有如下警告，但不必理會

//EEPROM_main.c:103: warning: passing arg 1 of `eeprom_write_byte' makes pointer from integer without a cast

//EEPROM_main.c:104: warning: passing arg 1 of `eeprom_read_byte' makes pointer from integer without a cast

eeprom_write_block (ORGDATA[0], Eval[0], 16); //塊寫入

//看看EEPROM數(shù)據(jù)是否是能失電永久保存，可以注釋上面這句程序(不寫入，只是讀出)，然后編譯，燒寫,斷電(一段時間),上電,調(diào)試。

eeprom_read_block (CMPDATA[0],Eval[0], 16); //塊讀出,然后看看數(shù)據(jù)對不對？

while (1);

}

/*

ATmega16 包含512 字節(jié)的EEPROM 數(shù)據(jù)存儲器。它是作為一個獨立的數(shù)據(jù)空間而存在的，可以按字節(jié)讀寫。EEPROM的壽命至少為100,000 次擦除周期。EEPROM的訪問由地址寄存器EEAR、數(shù)據(jù)寄存器EEDR和控制寄存器EECR決定。也可以通過ISP和JTAG及并行電纜來固化EEPROM數(shù)據(jù)。

EEPROM數(shù)據(jù)的讀取：

當(dāng)EEPROM地址設(shè)置好之后，需置位EERE以便將數(shù)據(jù)讀入EEDR。

EEPROM數(shù)據(jù)的讀取需要一條指令，且無需等待。

讀取EEPROM后CPU 要停止4 個時鐘周期才可以執(zhí)行下一條指令。

注意:用戶在讀取EEPROM 時應(yīng)該檢測EEWE。如果一個寫操作正在進(jìn)行，就無法讀取EEPROM，也無法改變寄存器EEAR。

EEPROM數(shù)據(jù)的寫入：

1、 EEPROM的寫訪問時間(自定時時間，編程時間)

自定時功能可以讓用戶軟件監(jiān)測何時可以開始寫下一字節(jié)。(可以采用中斷方式)

經(jīng)過校準(zhǔn)的1MHz片內(nèi)振蕩器用于EEPROM定時,不倚賴CKSEL熔絲位的設(shè)置。

改變OSCCAL寄存器的值會影響內(nèi)部RC振蕩器的頻率因而影響寫EEPROM的時間。

EEPROM自定時時間約為8.5 ms 即1MHz片內(nèi)振蕩器的8448個周期

注意：這個時間是硬件定時的，數(shù)值比較保險，其實真正的寫入時間根本就用不了8.5mS那么長,而且跟電壓有關(guān)，但芯片沒有提供其他的檢測編程完成的方法

這個問題表現(xiàn)在舊版的AT90S系列上面，由于沒有自定時，數(shù)值定得太短，ATMEL給人投訴到頭都爆，呵呵！

參考：《用ATmega8535替換AT90S8535》文檔里面的寫EEPROM定時的改進(jìn)：

在AT90S8535中寫EEPROM的時間取決于供電電壓，通常為，。

ATmega8535中寫EEPROM的時間為8448個校準(zhǔn)過的RC振蕩器周期 (與系統(tǒng)時鐘的時鐘源和頻率無關(guān))。

假定校準(zhǔn)過的RC振蕩器為1.0MHz，則寫時間的典型值為8.4ms，與VCC 無關(guān)。

2、為了防止無意識的EEPROM 寫操作，需要執(zhí)行一個特定的寫時序(如果使用編譯器的自帶函數(shù)，無須自己操心)寫時序如下( 第3 步和第4 步的次序并不重要)：

①等待EEWE 位變?yōu)榱?P style="MARGIN-TOP: 24px"> ②等待SPMCSR 中的SPMEN 位變?yōu)榱?P style="MARGIN-TOP: 24px"> ③將新的EEPROM 地址寫入EEAR( 可選)

④將新的EEPROM 數(shù)據(jù)寫入EEDR( 可選)

⑤對EECR 寄存器的EEMWE 寫"1"，同時清零EEWE

⑥在置位EEMWE 的4 個周期內(nèi)，置位EEWE

經(jīng)過寫訪問時間之后，EEWE 硬件清零。

用戶可以憑借這一位判斷寫時序是否已經(jīng)完成。

EEWE 置位后，CPU要停止兩個時鐘周期才會運行下一條指令。