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            EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 準(zhǔn)諧振軟開關(guān)控制器IRIS4015的設(shè)計(jì)及應(yīng)用

            準(zhǔn)諧振軟開關(guān)控制器IRIS4015的設(shè)計(jì)及應(yīng)用

            ——
            作者:作者:段曉飛 鄒 立 王鴻麟 時(shí)間:2007-01-26 來(lái)源:《國(guó)外電子元器件》 收藏

            1 概述

            iris4015是將mosfet和開關(guān)電源控制器封裝在一起的組合集成電路,主要應(yīng)用于反激式準(zhǔn)諧振變換器。該器件采用5腳sip或smd封裝,適用于各類高低壓開關(guān)電源。該器件的靜態(tài)工作電流很低(100μa),具有內(nèi)部軟啟動(dòng)、溫度補(bǔ)償?shù)闹鹈}沖過(guò)流保護(hù)ocp、過(guò)壓鎖定保護(hù)(ovp)和過(guò)熱關(guān)斷保護(hù)(tsd)等功能。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/21199.htm

            2 引腳功能

            iris4015的管腳排列如圖1所示。各引腳的功能如表1所列。

            3 應(yīng)用電路工作原理

            iris4015在反激電源中的典型應(yīng)用電路如圖2所示。

            3.1 反饋和控制電路

            表1 iris4015的引腳功能

            振蕩器利用ic內(nèi)部的電容c1充放電來(lái)產(chǎn)生決定mosfet關(guān)斷時(shí)間的脈沖信號(hào)。振蕩器的工作過(guò)程如圖3所示。當(dāng)mosfet開通時(shí),內(nèi)部5.6v恒壓源對(duì)電容c1充電,mosfet的漏極電流id流經(jīng)r5產(chǎn)生壓降vr5后反饋到ocp/fb腳,以實(shí)現(xiàn)初級(jí)電流控制。當(dāng)ocp/fb腳電壓達(dá)到基準(zhǔn)1(0.73v)時(shí),比較器1翻轉(zhuǎn),mosfet關(guān)斷,c1結(jié)束充電,并開始恒流放電。當(dāng)c1兩端電壓下降到基準(zhǔn)2(1.2v)時(shí),振蕩器輸出再次反相,mosfet導(dǎo)通,c1兩端電壓迅速充電到5.6v,mosfet反復(fù)循環(huán)開關(guān)工作。mosfet的導(dǎo)通時(shí)間由vr5的斜率決定。同樣,mosfet的關(guān)斷時(shí)間由c1和恒流放電電路決定。關(guān)斷時(shí)間由內(nèi)部恒流放電電路調(diào)整到約50μs。

            次級(jí)輸出電壓采用電壓型控制。輸出電壓通過(guò)光耦在r4兩端產(chǎn)生反饋電壓vr4,反饋電壓與r5兩端降壓vr5之和使比較器1翻轉(zhuǎn)。當(dāng)輸出電壓升高時(shí),ocp/fb腳電壓升高,從而使ocp/fb腳電壓達(dá)到基準(zhǔn)電壓1(0.73v)的時(shí)間縮短,并使mosfet的導(dǎo)通寬度變窄,以減少反激變壓器存儲(chǔ)的能量使輸出電壓降低。

            3.2 過(guò)流保護(hù)及正反饋補(bǔ)償

            過(guò)流保護(hù)電路通過(guò)檢測(cè)mosfet源極和gnd之間串聯(lián)電阻r5兩端的電壓,可檢測(cè)mosfet的漏極電流,該檢測(cè)信號(hào)和vr4之和將反饋到ocp/fb腳并與基準(zhǔn)電壓1(0.73v)比較,以實(shí)現(xiàn)限流功能。

            過(guò)流保護(hù)電路動(dòng)作時(shí),輸出過(guò)流使輸出電壓下降,同時(shí)輔助繞組的電壓也相應(yīng)下降,當(dāng)vcc降到uvlo門限電壓以下時(shí),控制器停止工作。輸出電流持續(xù)下降,vcc電壓因啟動(dòng)電路工作而升到啟動(dòng)電壓,從而使電路間歇性工作。

            當(dāng)交流輸入電壓較高時(shí),漏極電流較小,此時(shí)達(dá)到過(guò)流保護(hù)時(shí)的輸出功率值將大于低壓輸入時(shí)的輸出功率值。而加入由兩個(gè)電阻和一個(gè)穩(wěn)壓管組成的正反饋補(bǔ)償電路后(如圖4所示),在交流輸入電壓較高時(shí),其總輸出功率變化不大。

            加入正反饋補(bǔ)償后,當(dāng)輸入交流電壓較高時(shí),輔助電源在ocp/fb腳產(chǎn)生的偏置電壓會(huì)降低mos-fet漏極的平均電流。這樣,由于漏極電流減小,初級(jí)繞組漏感引起的反電壓降低,mosfet兩端承受的電壓減小,同時(shí)也降低了電感電流。因此,加入正反饋補(bǔ)償電路后,輸出功率會(huì)被控制在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi),同時(shí),次級(jí)側(cè)元件承受的應(yīng)力也不會(huì)過(guò)大。

            3.3 準(zhǔn)諧振電路分析

            圖5給出了各點(diǎn)的波形圖。圖中,諧振電容c3接在mosfet的漏極和源極之間,它和變壓器的初級(jí)電感構(gòu)成了諧振電路。輔助繞組和ocp/fb腳之間加入c4、d3、d4、r5組成的延遲電路,可在mos-fet關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生準(zhǔn)諧振信號(hào),并通過(guò)比較器1和2使電路工作在準(zhǔn)諧振狀態(tài)。

            變壓器能量傳送給次級(jí)繞組后,延遲電路使準(zhǔn)諧振信號(hào)仍維持在ocp/fb腳,而不是立即降落,這是因?yàn)椋悖?、c5通過(guò)有源低通濾波器和電阻r6、r7放電所致。經(jīng)過(guò)一段延遲時(shí)間后,ocp/fb腳電壓下降到基準(zhǔn)電壓1以下。調(diào)整c4并監(jiān)測(cè)電壓波形,當(dāng)mosfet的漏源電壓達(dá)到最低時(shí),電路將產(chǎn)生諧振信號(hào)使mosfet開通。延遲時(shí)間由c4、c5的放電時(shí)間決定,不加c4時(shí),延遲時(shí)間較短。由于加在ocp/fb腳的最高電壓為6v,所以準(zhǔn)諧振信號(hào)的幅值不能超過(guò)6v。

            3.4 鎖定電路

            過(guò)壓保護(hù)電路和過(guò)熱關(guān)斷電路動(dòng)作時(shí),鎖定電路使振蕩器輸出低電平,從而使電源電路停止工作。當(dāng)vcc為8.5v時(shí),鎖定電路的最大維持電流為400μa。低溫時(shí),經(jīng)啟動(dòng)電阻流進(jìn)vcc腳的維持電流需要500μa。為了避免噪音等因素引起誤動(dòng)作,鎖定定時(shí)器將產(chǎn)生一個(gè)延遲時(shí)間,當(dāng)ovp或tsd電路持續(xù)工作8μs或更長(zhǎng)時(shí)間時(shí),鎖定電路才開始動(dòng)作。當(dāng)鎖定電路動(dòng)作后,穩(wěn)壓器仍工作。由于通過(guò)啟動(dòng)電阻供給控制器的電流會(huì)超過(guò)500μa,從而使啟動(dòng)電阻的壓降增大,所以vcc電壓下降。當(dāng)vcc電壓下降到uvlo-門限電壓10v以下時(shí),穩(wěn)壓器停止工作。當(dāng)電路電流低于400μa時(shí),電壓vcc開始上升。當(dāng)電壓vcc上升到uvlo+啟動(dòng)電壓(16v)時(shí),穩(wěn)壓器又開始工作,控制器的電流再次增加,電壓vcc則再一次下降。

            鎖定電路工作時(shí),電壓vcc會(huì)在10v~16v范圍內(nèi)波動(dòng),如圖6所示。而要使鎖定電路復(fù)位,必須切斷輸入電源。

            3.5 過(guò)壓保護(hù)電路

            當(dāng)控制器輸入電壓vin超過(guò)22.5v時(shí),過(guò)壓保護(hù)電路將動(dòng)作。控制器輸入電壓vin由變壓器的輔助繞組提供,該電壓與輸出電壓成正比。當(dāng)次級(jí)電壓反饋電路開路或其它原因引起次級(jí)過(guò)電壓時(shí),過(guò)壓保護(hù)電路也會(huì)啟動(dòng)。過(guò)壓保護(hù)動(dòng)作時(shí),次級(jí)輸出電壓可由下式計(jì)算:
            vout=(額定輸出電壓/vcc正常工作電壓)×22.5v

            4 結(jié)語(yǔ)

            以iris4015為核心的電源變換器具有成本低、外圍電路簡(jiǎn)單、保護(hù)電路完善等優(yōu)點(diǎn)。且在空載時(shí),電路工作電流很低(100μa)。由于該控制芯片的待機(jī)功耗僅約0.8w,因而十分適用于各種對(duì)待機(jī)功耗要求比較嚴(yán)格的電器設(shè)備。



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