利用TDR (時(shí)域反射計(jì))測量傳輸延時(shí)

隨著時(shí)鐘速率的提高，利用高速示波器有源探頭測量延時(shí)的傳統(tǒng)方法很難獲得準(zhǔn)確結(jié)果。這些探頭成為高速信號通路的一部分，并造成被測信號的失真，引入誤差。探頭還必須直接置于器件引腳，以消除PCB (印刷電路板)引線長度產(chǎn)生的延時(shí)誤差，滿足探頭位置的這一要求是困難而復(fù)雜的過程。本文介紹了如何利用TDR (時(shí)域反射計(jì))測量降低探頭誤差的方法，有助于提高傳輸延時(shí)測量精度。

分析方法

本文基于以下三個(gè)前提：

1. 利用TDR (時(shí)域反射計(jì))減小探頭誤差。TDR通常用來測量信號通路長度與阻抗變化的關(guān)系。TDR也是測量傳輸延時(shí)的重要工具。
2. 避免直接探測。由于加載的原因，有源探頭會使測量變得復(fù)雜，并引入誤差。
3. 利用一個(gè)實(shí)例演示這一方法。本文將以MAX9979為例，該芯片為高速引腳電子電路，適合于ATE系統(tǒng)。芯片內(nèi)部集成了雙路高速驅(qū)動器、有源負(fù)載以及工作在1Gbps以上的窗比較器。

此處介紹的方法適用于任何高速器件。

TDR原理

TDR測試方法中，沿信號通路傳輸高速信號邊沿，并觀察其反射信號。反射能夠說明信號通路的阻抗以及阻抗變化時(shí)信號延時(shí)的變化，TDR測試的簡單示意圖如圖1所示。


圖1. TDR原理，TDR測量基于反射系數(shù)ρ，其中ρ = (V_REFLECTED/V_INCIDENT)。最終，Z_O= ρ × (1 + ρ)/(1 - ρ)。

從圖1可以得到兩個(gè)重要概念：

1. T_DLY是我們將要測量的PCB (印刷電路板)引線延時(shí)。
2. Z_O是被測PCB引線的阻抗。

儀器和評估板

為了測量納秒級的延時(shí)，需要非?？斓拿}沖發(fā)生器、高速示波器以及高速探頭。我們也可以利用具有TDR測量功能的Tektronix? 8000 (圖2)系列示波器(TDS8000、CSA8000或CSA8200)，配合80E04 TDR采樣模塊使用。本文采用MAX9979EVKIT (評估板)、Hewlett Packard 8082A脈沖發(fā)生器和TDS8000/80E04進(jìn)行演示。圖3所示為MAX9979EVKIT部分電路。可以選擇使用任何具有TDR功能的高速示波器和任何高速差分脈沖發(fā)生器，同樣能夠獲得相似結(jié)果。


圖2. Tektronix TDS8000系列具有采樣模式的示波器


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圖3. MAX9979EVKIT (部分)

分析中將進(jìn)行以下測量：

• 從PCB的SMA邊緣連接器DATA1/NDATA1至MAX9979 IC輸入引腳DATA1/NDATA1的延時(shí)。從MAX9979的DUT1 (被測器件)輸出通過SMA連接器J18的延時(shí)。
• 連接DUT1輸出至CSA8000的測試電纜延時(shí)。
• 從DATA1/NDATA1輸入至DUT1輸出，通過電纜到達(dá)CSA8000的總延時(shí)。
• 最后，計(jì)算MAX9979的實(shí)際延時(shí)。

DATA1/NDATA1輸入建模

由于人們對TDR響應(yīng)比較困惑，我們首先利用SPICE仿真器構(gòu)建輸入延時(shí)的模型。然后我們將仿真結(jié)果與實(shí)際測量進(jìn)行比較，參見圖4。


圖4. 等效輸入原理圖和最終仿真模型

圖4注釋：

• PCB引線設(shè)定為6in長，阻抗為65Ω。實(shí)際上，這是DATA1/NDATA1 PCB引線的真實(shí)阻抗。理想情況下為50Ω，但我們從TDR測量結(jié)果將會看到該值為63Ω。
• NDATA1輸出端接至地。由于DATA1和NDATA1對稱，而且距離MAX9979引腳的長度相同，所以僅測量DATA1的PCB引線。
• 對信號發(fā)生器的12in電纜進(jìn)行建模，但實(shí)際傳輸延時(shí)測量證明并不需要這一建模。

DATA1/NDATA1輸入仿真

圖5所示為TPv3的SPICE仿真波形。


圖5. 圖4所示模型的SPICE仿真(節(jié)點(diǎn)TPv3)，在MAX9979EVKIT DATA1輸入采集到