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            EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 利用雙焊盤(pán)檢測(cè)電阻實(shí)現(xiàn)的高精度開(kāi)爾文檢測(cè)

            利用雙焊盤(pán)檢測(cè)電阻實(shí)現(xiàn)的高精度開(kāi)爾文檢測(cè)

            作者: 時(shí)間:2012-09-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  圖3所示布局是對(duì)標(biāo)準(zhǔn)方案的一種顯著的改進(jìn),但是,在使用極低值電阻(0.5 mΩ或以下)時(shí),焊盤(pán)上檢測(cè)點(diǎn)的物理位置以及流經(jīng)電阻的電流對(duì)稱(chēng)性的影響將變得更加顯著。例如,ULRG3-2512-0M50-FLFSL是一款固態(tài)金屬合金電阻,因此,電阻沿著焊盤(pán)每延伸一毫米,結(jié)果都會(huì)影響有效電阻。使用校準(zhǔn)電流,通過(guò)比較五種定制封裝下的壓降,可以確定最佳檢測(cè)布局。

              測(cè)試PCB板

              圖4展示在測(cè)試PCB板上構(gòu)建的五種布局模式,分別標(biāo)記為A到E.我們盡可能把走線布局到沿著檢測(cè)焊盤(pán)延伸的不同位置的測(cè)試點(diǎn),表示為圖中的彩點(diǎn)。各個(gè)電阻封裝為:

              1.基于2512建議封裝的標(biāo)準(zhǔn)4線電阻(見(jiàn)圖2(b))。檢測(cè)點(diǎn)對(duì) (X and Y)位于焊盤(pán)外緣和內(nèi)緣(x軸)。

              2.類(lèi)似于A,但焊盤(pán)向內(nèi)延伸較長(zhǎng),以便更好地覆蓋焊盤(pán)區(qū)(見(jiàn)圖2(a))。檢測(cè)點(diǎn)位于焊盤(pán)中心和末端。

              3.利用焊盤(pán)兩側(cè)以提供更對(duì)稱(chēng)的系統(tǒng)電流通路。同時(shí)把檢測(cè)點(diǎn)移動(dòng)到更中心的位置。檢測(cè)點(diǎn)位于焊盤(pán)中心和末端。

              4.與C類(lèi)似,只是系統(tǒng)電流焊盤(pán)在最靠里的點(diǎn)接合。只使用了外部檢測(cè)點(diǎn)。

              5.A和B的混合體。系統(tǒng)電流流過(guò)較寬的焊盤(pán),檢測(cè)電流流過(guò)較小的焊盤(pán)。檢測(cè)點(diǎn)位于焊盤(pán)的外緣和內(nèi)緣。

              利用雙焊盤(pán)檢測(cè)電阻實(shí)現(xiàn)的高精度開(kāi)爾文檢測(cè)

              圖4. 測(cè)試PCB板的布局。

              在模板上涂抹焊料,并在回流爐中使用回流焊接。使用的是ULRG3-2512-0M50-FLFSLT電阻。

              測(cè)試步驟

              測(cè)試設(shè)計(jì)如圖5所示。使20 A的校準(zhǔn)電流通過(guò)各個(gè)電阻,同時(shí)使電阻保持在25°C.在加載電流后1秒內(nèi),測(cè)量產(chǎn)生的差分電壓,以防止電阻溫度升高1°C以上。同時(shí)監(jiān)控各個(gè)電阻的溫度,以確保測(cè)試結(jié)果均在25°C下測(cè)得。電流為20 A時(shí),通過(guò)0.5 mΩ電阻的理想壓降為10 mV.

              利用雙焊盤(pán)檢測(cè)電阻實(shí)現(xiàn)的高精度開(kāi)爾文檢測(cè)

              圖5. 測(cè)試設(shè)置。

              測(cè)試結(jié)果

              表1列出了采用圖4所示檢測(cè)焊盤(pán)位置測(cè)得的數(shù)據(jù)。

              表1. 測(cè)得電壓和誤差



            關(guān)鍵詞: 雙焊盤(pán) 檢測(cè)電阻 高精度 開(kāi)爾文檢測(cè)

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