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            不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)

            作者: 時(shí)間:2013-01-29 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果。常見電路有耗能式和回饋式緩沖電路?;仞伿接钟袩o源式和有源式兩種,詳細(xì)電路設(shè)計(jì)可參見所選用器件的技術(shù)手冊(cè)。

              橋臂共導(dǎo)損壞

              在UPS 中,逆變橋同臂支路兩個(gè)驅(qū)動(dòng)必須是互鎖的,而且應(yīng)該設(shè)置死區(qū)時(shí)間(即共同不導(dǎo)通時(shí)間)。如果發(fā)生共導(dǎo), 會(huì)迅速損壞。在控制電路應(yīng)該考慮到各種運(yùn)行狀況下的驅(qū)動(dòng)問題控制時(shí)序問題。

              過熱損壞

              可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇制冷,設(shè)置過溫度保護(hù)等方法來解決過熱損壞的問題。

              此外還要注意安裝過程中的靜電損壞問題,操作人員、工具必須進(jìn)行防靜電保護(hù)。

              5. 結(jié)論

               兼具有功率MOSFET 和GTR 的優(yōu)點(diǎn),是UPS 中的充電、旁路開關(guān)、逆變器,整流器等功率變換的理想器件。

              只有合理運(yùn)用,并采取有效的保護(hù)方案,才可能提高IGBT 在UPS 中的可靠性。

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            關(guān)鍵詞: 不間斷 電源 IGBT

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