不間斷電源中的IGBT應(yīng)用總結(jié)
橋臂共導(dǎo)損壞
在UPS 中,逆變橋同臂支路兩個(gè)驅(qū)動(dòng)必須是互鎖的,而且應(yīng)該設(shè)置死區(qū)時(shí)間(即共同不導(dǎo)通時(shí)間)。如果發(fā)生共導(dǎo),IGBT 會(huì)迅速損壞。在控制電路應(yīng)該考慮到各種運(yùn)行狀況下的驅(qū)動(dòng)問題控制時(shí)序問題。
過熱損壞
可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇制冷,設(shè)置過溫度保護(hù)等方法來解決過熱損壞的問題。
此外還要注意安裝過程中的靜電損壞問題,操作人員、工具必須進(jìn)行防靜電保護(hù)。
5. 結(jié)論
IGBT 兼具有功率MOSFET 和GTR 的優(yōu)點(diǎn),是UPS 中的充電、旁路開關(guān)、逆變器,整流器等功率變換的理想器件。
只有合理運(yùn)用IGBT,并采取有效的保護(hù)方案,才可能提高IGBT 在UPS 中的可靠性。
晶體管相關(guān)文章:晶體管工作原理
晶體管相關(guān)文章:晶體管原理
評(píng)論