該款全新產品系列針對軟開關應用，在1000V至1400V的電壓范圍內，利用固有的反并聯二極管進行了優(yōu)化。 隨著超越典型非穿通型（NPT） IGBT技術的不斷進步，飛兆半導體的陽極短路硅技術可提供更低的飽和電壓，比額定功率相同的NPT-trench IGBT要低12%以上。 此外，如果與競爭對手的IGBT產品相比，該產品系列的拖尾電流速率要低20%以上。 由于具有這些豐富特性，飛兆半導體先進的IGBT因而能提供更佳的熱性能、更高的效率以及更低的功耗。

　　特點與優(yōu)勢：

　　高速開關頻率范圍： 10至50 kHz

　　業(yè)界最低的拖尾電流，可改進開關損耗（FGA20S140P）

　　與現有的NPT trench IGBT相比，飽和壓降更低

　　電位計檢測抗噪能力強健，可提高可靠性

　　高溫穩(wěn)定特性： Tj（max） = 175 oC

　　符合RoHS標準（無鉛引腳電鍍）

　　封裝和報價信息（1，000片起訂，價格單位：美元）

　　按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后8-12周內

　　采用TO-3P 3L封裝：

　　1250V FGA20S125P $2.03

　　1250V FGA25S125P $2.03

　　1300V FGA30S120P $5.25

　　1400V FGA20S140P $2.25

　　采用TO-247 3L封裝：

　　1300V FGH30S130P $3.40

　　飛兆半導體的場截止陽極短路trench IGBT提供業(yè)界領先的技術，以應對在當今設計中遇到的能效和形狀因數挑戰(zhàn)。 這些應用都是飛兆半導體節(jié)能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分，而這些解決方案可在功率敏感型應用中實現最大限度的節(jié)能。