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            集成電路可靠性試驗(yàn)―鹽霧技術(shù)研究

            作者: 時(shí)間:2013-11-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            ; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  3 試驗(yàn)分析

              本文對以上試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了分析。在鹽霧試驗(yàn)中,由于各種金屬的電極電位不同以及它們在鹽液中的過電位大小不一,所以在鹽霧中會(huì)發(fā)生很多的 電化學(xué)反應(yīng)。在陽極是金屬失去電子,成為離子,在陰極發(fā)生的電化學(xué)反應(yīng)類型有析氫反應(yīng)和氧去極化反應(yīng)等,其中氧去極化反應(yīng)(吸氧反應(yīng))是最主要的反應(yīng)類型。它是由于鹽液中含有的溶解氧而 造成的,溶液中的氧可通過擴(kuò)散作用不斷地向陰極區(qū)移動(dòng)。

              氧向電極表面擴(kuò)散決定整個(gè)吸氧腐蝕過程的速度,因?yàn)檠踉邴}溶液的溶解度是有限的,吸氧腐蝕速度往往被氧向金屬表面的擴(kuò)散速度所控制,也就是說,金屬腐蝕速度是與氧在陰極還原的極限電流密度相一致的。

              氧向陰極擴(kuò)散速度由Fick第二定律得出

              

            集成電路可靠性試驗(yàn)―鹽霧技術(shù)研究

              式中,D為溶解氧擴(kuò)散系數(shù);δ為擴(kuò)散層厚度;Ce為電極表面氧的濃度;C為溶液中氧的濃度。

              電極反應(yīng)速度可由法拉第定律得出

              

            集成電路可靠性試驗(yàn)―鹽霧技術(shù)研究

              id:極限電流密度;n:價(jià)數(shù);F:法拉第常數(shù)。

              當(dāng)電極反應(yīng)達(dá)到平衡,即擴(kuò)散控制時(shí):V1=V2由公式(2)、公式(3)得出

              

            集成電路可靠性試驗(yàn)―鹽霧技術(shù)研究

              由于隨著電極反應(yīng)的進(jìn)行,電極附近氧原子不斷消耗,Ce降低,當(dāng)Ce→0時(shí),公式(4)可變?yōu)?/P>

              

            集成電路可靠性試驗(yàn)―鹽霧技術(shù)研究

              從公式(5)中可以看出,極限電流密度id與擴(kuò)散層厚度δ、溶解氧擴(kuò)散系數(shù)D、溶解氧的濃度C、價(jià)數(shù)n等有關(guān);極限電流密度的大小也就意味著腐蝕速度的大小;其中D與環(huán)境溫度成正比。

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