電子元器件在電路仿真中的建模
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圖2中，電阻rds表示有限輸出阻抗，模擬溝道長度調(diào)節(jié)和漏極電流因Vds改變而引起的效應(yīng)，由式(1)可得：本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/202641.htm
圖2中，電容的求解過程參見參考文獻(xiàn)[1]，以下給出結(jié)果：
Cgs是最大電容，需要較高精確度時(shí)可表示為：
其中LD是重疊區(qū)的距離。
第2大電容Csb表示為：式中，As是源極的結(jié)面積，Ps是源極的結(jié)周長，不包括與溝道相鄰的一邊，Cj-sw表示0 V偏置下的側(cè)壁電容。
（Cj0偏置下的耗盡結(jié)電容)。
Cgd稱為密勒電容，其值為：Cgd=WCoxLD。
源極主體電容Cdb表示為：Cdb=C'db+Cd-sw=AdCjd+PdCj-sw,其中，Ad是漏極的結(jié)面積，Pd是不包括與柵極相鄰部分的結(jié)周長
，
在仿真工具中建模，可指定如表1所示參數(shù)，系統(tǒng)自動(dòng)根據(jù)上述計(jì)算式確定等效電路參數(shù)，從而完成該器件的建模。
在pspice中仿真得到預(yù)期結(jié)果，如圖4所示。
可見參數(shù)建模法省去了構(gòu)建等效電路的過程，只需通過廠商提供的器件特性參數(shù)就可以直接建模。但該方法只適用于固定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。
3 子電路建模法
隨著電子器件的不斷更新，單純依靠修改參數(shù)值進(jìn)行建模已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足現(xiàn)在電子電路仿真的需求。針對常用電路單元和集成電路新產(chǎn)品，本文提出一種為新產(chǎn)品建立一個(gè)子電路模型的方法，并將該模型作為一個(gè)器件添加到仿真軟件的模型庫，在仿真電路時(shí)用戶可以像調(diào)用自帶庫一樣直接使用該模型。
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