1 引言
計算機仿真具有效率高、精度高、可靠性高和成本低等特點，已被廣泛應用于電力電子電路(或系統(tǒng))的分析和設(shè)計。計算機仿真不僅可以取代系統(tǒng)許多繁瑣的人工分析，減輕勞動強度，提高分析和設(shè)計能力，還可以對電路進行優(yōu)化和改進，最大限度地降低設(shè)計成本，縮短系統(tǒng)研發(fā)周期。但這些優(yōu)點都是基于元器件模型，電路的數(shù)學化主要是元器件的模型化，可以說沒有模型化就沒有電路的仿真分析。簡單的元器件，比如，電阻、電容和電感等，只需要一個或幾個參數(shù)就可以描述其電學性能。而各類半導體和集成器件，則需用很多參數(shù)來描述較復雜的建模過程。目前各種仿真工具中都自帶很多常用的元器件模型，但是自帶模型庫永遠跟不上電子元器件的更新速度。這里針對建模的重要性和必要性，研究當前流行的電子電路仿真工具的電子元器件模型，提出兩種建模方法：參數(shù)建模法和子電路建模法。

2 參數(shù)建模法
參數(shù)建模法主要是針對加工工藝相同的一類半導體器件提出的，其工作過程是先利用物理法或黑箱法構(gòu)建出不同復雜程度的等效電路，然后通過公式演算，得出這類半導體器件的參數(shù)。在使用過程中，若遇到該類器件，就可以通過直接設(shè)置參數(shù)值實現(xiàn)不同型號元器件的建模，從而省去重復構(gòu)建等效電路和繁瑣的方程式推導過程。
下面以N溝道MOS(metal-oxide semiconductor)晶體管為例說明等效電路與參數(shù)之間的關(guān)系。典型的N溝道MOS晶體管組成示意圖如圖1所示。

設(shè)置柵極寬度為W，有效柵極長度為L，柵極下氧化層的厚度為tOX。MOS管的特性方程為：

式中，COX是每單位面積的柵極電容。Vth為柵極-源極間的閾值電壓。
當VDS增加時，ID上升，直到溝道的漏極末端夾斷，ID不再上升。這種夾斷發(fā)生在VDS=VGS-Vth時。因此工作區(qū)MOS管的特性方程可簡化為：

通過式(2)得到如圖2所示的MOS晶體管等效電路，其中壓控電流源gmVgs是模型中最重要的部分，晶體管的跨導gm定義為：

將式(2)代入式(3)，可得出：

圖2中，gsVs表示第2個壓控電流源，模擬漏極電流id上的體效應。當源極與地相連時，或其電壓不變化時，此電流源可忽略。當體效應不能忽略時，則有：

式中，γ是體效應參數(shù)，|2φF|為表面反轉(zhuǎn)電勢。