2月28日消息，SK海力士正致力于開發(fā)新一代低功耗內(nèi)存LPDDR5M，其數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的LPDDR5T相同，均為9.6Gbps，但在能效方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升。

LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V，能效提高了8%。這一技術(shù)突破預(yù)計(jì)將廣泛應(yīng)用于具備設(shè)備端AI功能的智能手機(jī)中，使其在本地運(yùn)行密集型操作時(shí)消耗更少的電量，從而滿足設(shè)備制造商對高效能、低功耗的需求。業(yè)內(nèi)人士推測，SK海力士最快將于年內(nèi)推出LPDDR5M產(chǎn)品。

與此同時(shí)，SK海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的研發(fā)也取得了重要進(jìn)展。目前，SK海力士已進(jìn)入12層堆疊HBM4的試產(chǎn)階段，良品率從去年底的60%提升至70%。

這一進(jìn)展得益于其采用了1β（b）nm（第五代10nm級別）工藝制造DRAM芯片，該工藝在性能和穩(wěn)定性方面已得到充分驗(yàn)證，并將同樣應(yīng)用于HBM3E產(chǎn)品的生產(chǎn)中。

根據(jù)計(jì)劃，SK海力士將于2025年6月向英偉達(dá)提供HBM4樣品，以支持其Rubin架構(gòu)產(chǎn)品的需求。此外，SK海力士預(yù)計(jì)在今年下半年推出首批12層堆疊的HBM4產(chǎn)品，并于2025年第三季度進(jìn)入全面供應(yīng)階段，進(jìn)一步鞏固其在高端內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。