據(jù)報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個低迷階段。

自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應(yīng)商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。

在此前的上升周期時，NAND廠商為了滿足市場需求增長，不斷擴大產(chǎn)能，但此次的上升周期過于短暫，導(dǎo)致產(chǎn)能過剩問題凸顯。

據(jù)TrendForce半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，通用NAND固定價格自2023年10月起連續(xù)五個月上漲后，在2024年3月增速減緩，維持平穩(wěn)狀態(tài)，而后從9月開始轉(zhuǎn)為下跌趨勢；2024年9月至11月，NAND價格環(huán)比分別下降11.44%、29.18%和29.8%，顯示面向存儲卡和USB設(shè)備的通用型NAND閃存（128Gb 16Gx8 MLC）的固定價格在去年8月時為4.9美元，但此后逐月下跌至2.08美元 —— 跌幅已經(jīng)超過50%，是繼2015年8月統(tǒng)計以來的最低價格。

此外，減產(chǎn)背后還隱藏著另一個重要原因——“技術(shù)遷移”。其實，自NAND閃存進入3D時代以來，芯片層數(shù)一直是各大NAND閃存芯片廠商競爭的焦點，堆棧層數(shù)越來越高。今年以來，隨著存儲原廠NAND制程相繼迭代，200層以上NAND的供應(yīng)增加，高密度NAND在市場應(yīng)用中逐步取得進展。

以三星為例，該公司正積極用176層、238層和286層等新型號產(chǎn)品取代原有的128層產(chǎn)品；而SK海力士亦將重心轉(zhuǎn)向238層和321層產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)。值得注意的是，三星和SK海力士的減產(chǎn)舉措也被視為對新興競爭對手長江存儲（YMTC）的一種應(yīng)對策略。據(jù)上月報道，長江存儲已成功推出第五代3D TLC NAND閃存，其擁有294層堆疊結(jié)構(gòu)及232個有源層，無論在密度還是總層數(shù)方面均已達到業(yè)界領(lǐng)先水平。