/ 前言 /

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。

熱容

熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個(gè)重要的物理量，它們具有相似的量綱結(jié)構(gòu)。熱容和電容，都是描述儲存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對照關(guān)系如圖所示。

平板電容器電容和熱容的對應(yīng)關(guān)系

平板的熱容

電容 C el (單位為 A·s/V )表示電荷 Q 和電壓 U 之間的關(guān)系。

熱容 C th (單位為 J/K )是表示熱量 Q th 與溫度差 ΔT 之間的關(guān)系，如式1所示。換句話說，熱容可以被描述為熱量變化與溫差的比值，即：

熱量 Q th 可以由比熱容 c th 、質(zhì)量 m 和溫差 ΔT 得到，即：

某一確定材料的比熱容 c th 是常數(shù)，單位為 J/(kg·K) (見下表)。如果用式(2)代替式(1)中的 ΔQ th ，則熱容的關(guān)系變成：

材料的比熱容c th

由于質(zhì)量 m=ρ·d·A ( d是厚度，A是面積，ρ是密度 )，因此,可以利用材料的比熱容 c th 、相對密度 ρ 和體積來計(jì)算電力電子器件的熱容。

熱阻抗

利用熱阻 R th 和熱容 C th ，可以構(gòu)建一個(gè)類似RC低通電路的熱模型，可以用瞬態(tài)熱阻或熱阻抗 Z th 表示這種模型，且每一個(gè)實(shí)際對象都具有熱阻和熱容。

瞬態(tài)熱阻抗Z th ,包括平板的熱阻R th 和熱容C th

上圖給出了瞬態(tài)熱阻抗 Z th ，包括平板的熱阻 R th 和熱容 C th ?？梢栽跁r(shí)域中描述熱阻抗 Z th ，即由于熱容，溫差 ΔT 隨時(shí)間而變化，有：

與電氣工程中的時(shí)間常數(shù)的定義方式類似，熱容充滿的時(shí)間常數(shù) τ 為：

過渡過程的時(shí)間在0~5 τ ，分別代表了達(dá)到終值0~99.3%的時(shí)間。超過5 τ 或者99.3%以后的時(shí)間被視作穩(wěn)態(tài)(即熱平衡)。這時(shí)假設(shè) ΔT max 不再改變，熱容不再對熱阻抗有任何的影響，這樣就可以把熱阻抗 Z t h 與熱阻 R th 看成相同的。

下圖給出了熱阻抗 Z th 隨時(shí)間的變化過程,可以通過 ΔT(t) 和 P th,C 計(jì)算熱阻抗,即：

熱阻抗Z th 與時(shí)間的關(guān)系

在實(shí)際器件數(shù)據(jù)手冊中熱阻抗 Z th 圖X軸是時(shí)間。

實(shí)際器件的熱阻抗

功率半導(dǎo)體結(jié)對殼的瞬態(tài)熱阻抗 Z thjc 會在數(shù)據(jù)手冊中給出，功率半導(dǎo)體常見的封裝為帶銅基板功率模塊、不帶銅基板的DCB模塊和基于銅框架結(jié)構(gòu)的單管，由于傳熱通路的材料不同，材料重量體積不同，所以瞬態(tài)熱阻抗 Z thjc 不同。

銅基板模塊

DCB模塊

單管

銅基板模塊

銅基板模塊很重，主要是有銅基板，EconoDUAL? 3的銅基板厚度3毫米，這對瞬態(tài)熱阻抗 Z thjc 起著重要作用，熱量會在DCB兩面的銅層和銅基板的縱向和橫向擴(kuò)散，5 τ 值大于2秒（圖表摘自FF900R12ME7_B11 900A 1200V半橋模塊）。

DCB模塊：

沒有銅基板的DCB模塊輕很多，DCB的覆銅厚度0.25-0.30mm，熱容就比帶銅基板的模塊小很多，熱量只會在DCB兩面的銅層的縱向和橫向擴(kuò)散，5 τ 值大約為0.4秒（圖表摘自FS200R12W3T7_B11 200A 1200V三相橋模塊）。

單管：

單管沒有DCB板，芯片直接焊在了銅框架上，芯片熱量直接加在銅框架上，熱可以在銅框架上很好的擴(kuò)散，5 τ 值大約為0.02秒（圖表摘自IKY140N120CH7 140A 1200V IGBT單管）。

小結(jié)

本文介紹了熱容的概念，提出了瞬態(tài)的熱特性，并對比了不同封裝的瞬態(tài)熱阻，下一篇將詳細(xì)介紹瞬態(tài)熱測量。