安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術，主要性能拉滿，形成業(yè)內(nèi)獨特的領先優(yōu)勢。

解密FS7“附體”的超能力

眾所周知，IGBT是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，結(jié)合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的優(yōu)點，具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術則是IGBT的一種改進技術，通過在器件的漂移區(qū)引入一個場截止層來優(yōu)化其性能，實現(xiàn)更低的導通損耗、更快的開關速度、更高的熱性能，以及更高的耐壓能力。

安森美最新的IGBT 技術Field Stop 7 (場阻，F(xiàn)S7)其性能比前幾代產(chǎn)品有所提升。該技術經(jīng)過優(yōu)化，分為兩種不同的版本。第一種版本稱為R系列，即中速器件。這些器件針對飽和狀態(tài)下的低集電極到發(fā)射極電壓進行了優(yōu)化，可在電機控制等開關頻率較低的應用中降低導通損耗。

第二種版本是S系列，即高速器件。這些器件針對最低開關損耗進行了優(yōu)化，可用于高功率轉(zhuǎn)換，如商用太陽能逆變器、不間斷電源和儲能系統(tǒng)。兩種版本都包含一個針對低正向電壓和柔軟度進行了優(yōu)化的反并聯(lián)二極管。

這里展示了R系列或低VCE(sat)器件的性能特征。直流性能曲線表明，+25℃時V CE(sat)極低，為1.37 V，二極管正向電壓為1.74 V。交流性能曲線表明，在1200 V、150 A 型號上測試的開關損耗非常低，短路耐受時間約為8 μs。

FS7 IGBT 是高性能器件，額定電壓為1,200 V，額定電流范圍為40 A 至160 A。適用于高功率太陽能逆變器、不間斷電源、儲能系統(tǒng)和電機控制等要求苛刻的應用。1,200 V FS7 器件提供低VCE(sat)版本，以改善導通損耗，以及低開關損耗版本改善開關損耗。

最新的SPM31智能功率模塊解讀

今年初推出的最新一代FS7 IGBT產(chǎn)品是支持1200V的SPM31智能功率模塊(IPM)。SPM31 IPM主要優(yōu)勢是效率更高、體積更小、功率密度更高，因此總系統(tǒng)成本低于市場上其他解決方案。

由于使用優(yōu)化的IGBT可實現(xiàn)更高的效率，這些IPM非常適合三相逆變器驅(qū)動應用，例如熱泵、商用HVAC系統(tǒng)、伺服電機以及工業(yè)泵和風扇。與上一代產(chǎn)品相比，采用FS7 IGBT 技術的25A 額定SPM31 可將功率損耗降低高達10%，并將功率密度提高高達9%。

這些高度集成的模塊包含柵極驅(qū)動IC，多個模塊內(nèi)保護功能以及FS7 IGBT，可實現(xiàn)業(yè)界領先的熱性能，并能夠支持15A, 25A和35A三種電流規(guī)格。。憑借一流的功率密度，SPM31 FS7 IGBT IPM 是節(jié)省安裝空間、提高性能預期并縮短開發(fā)時間的理想解決方案。此外，SPM31 IPM 還具有以下優(yōu)勢：

◆ 柵極驅(qū)動器和保護裝置的控制

◆ 低損耗、具有抗短路能力的額定 IGBT

◆ 三相下橋IGBT的源極分開引出，以支持多種控制算法

◆ 內(nèi)置欠壓保護（UVP）

◆ 內(nèi)置自舉二極管和自舉限流電阻

◆ 內(nèi)置高速高壓集成電路

◆ 單接地電源

面向逆變器應用的先進電源技術

在今年年中，安森美再次發(fā)布功率模塊產(chǎn)品——第7 代1200V QDual3 IGBT功率模塊。與其他同類產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。

該800A QDual3 模塊同樣基于新的場截止第7代IGBT技術，應用于150千瓦的逆變器中時，QDual3模塊的損耗比同類最接近的競品少200W，從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設計，非常適合用于大功率變流器，例如集中式光伏逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、商用農(nóng)業(yè)車輛（CAV）和工業(yè)電機驅(qū)動器。

QDual 3 模塊集成了新一代1200V FS7 IGBT和二極管技術，可為大功率應用提供更優(yōu)異的性能。與前幾代產(chǎn)品相比，基于FS7的技術能顯著改善導通損耗。

FS7技術增強了關鍵性能參數(shù)

在FS7 IGBT工藝中，溝槽窄臺面帶來了低VCE(SAT)和高功率密度，而質(zhì)子注入多重緩沖確保了穩(wěn)健性和軟開關特性。如前面提到，安森美中速FS7器件的VCE(SAT)低至1.65V，適用于運動控制應用；而其FS7快速產(chǎn)品的EOFF僅57 μJ/A，針對于像太陽能逆變器和CAV等高功率應用而言，這些特性非常重要。

FS7 IGBT 尺寸更小，功率密度更高

目前，根據(jù)不同的應用需求有兩種產(chǎn)品可供選擇——NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG。專用QDual 3半橋IGBT模塊NXH800H120L7QDSG適用于集中式光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、不間斷電源(UPS)；而SNXH800H120L7QDSG則適用于CAV。這兩款器件均基于FS7技術打造，VCE(SAT)和EOFF有所改進，進而降低了損耗、提高了能效。

創(chuàng)新型FS7技術使新型QDual3模塊中的芯片尺寸比上一代縮小了30%。這種小型化與先進的封裝相結(jié)合，可以顯著提高最大額定電流。在工作溫度高達150攝氏度的電機控制應用中，QDual3的輸出功率為100 kW 至340 kW，比目前市場上的其他產(chǎn)品高出大約12%。

例如，以當前使用600A IGBT 模塊以ANPC/INPC架構(gòu)來設計1.725 MW逆變器為例，總共將需要36個模塊。然而，若使用額定工作電流為800A的新型NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG，設計所需模塊數(shù)量將減少9個。相應地，設計的尺寸、重量和成本將節(jié)省25%。這對于太陽能應用和CAV應用來說都非常有價值，因為重量的減輕和效率的提高，將使得車輛行駛里程有所增加。

總結(jié)

安森美FS7等新型半導體技術支持開發(fā)低損耗、大功率器件，以滿足這些領域的效率和可靠性需求。基于這項技術，安森美的新型SPM31 IPM和QDual3器件采用緊湊封裝，可實現(xiàn)高功率密度和出色能效，分別為熱泵、商用HVAC系統(tǒng)、伺服電機以及工業(yè)泵和風扇，以及集中式光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、商用農(nóng)業(yè)車輛和工業(yè)電機驅(qū)動器帶來主要性能的快速迭代機遇。