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            消息稱臺積電 2nm 芯片生產(chǎn)良率達 60% 以上,有望明年量產(chǎn)

            作者: 時間:2024-12-09 來源:IT之家 收藏

            12 月 9 日消息,在半導(dǎo)體行業(yè)中,“良率”(Yield)是一個關(guān)鍵指標(biāo),指的是從一片硅晶圓中切割出的可用通過質(zhì)量檢測的比例。如果晶圓廠的良率較低,制造相同數(shù)量的就需要更多的晶圓,這會推高成本、降低利潤率,并可能導(dǎo)致供應(yīng)短缺。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202412/465307.htm

            據(jù)外媒 phonearena 透露,計劃明年開始量產(chǎn) 2 納米,目前該公司已在位于新竹的工廠進行試產(chǎn),結(jié)果顯示其 制程的良率已達到 60% 以上。

            這一數(shù)據(jù)還有較大提升空間,外媒稱,通常相應(yīng)芯片良率需要達到 70% 或更高才能進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。以目前 60% 的試產(chǎn)良率,明年才能令其 工藝進入大規(guī)模生產(chǎn)階段。

            因此,蘋果預(yù)計在明年的 iPhone 17 系列中仍會基于臺積電 3nm工藝節(jié)點的A19 /Pro 處理器。而首款采用 芯片的蘋果產(chǎn)品將是 2025 年末發(fā)布的 iPad Pro M5,而首款搭載 2nm 處理器的 iPhone 預(yù)計將是 2026 年的 iPhone 19 系列。

            據(jù)介紹,臺積電的 2nm 工藝引入了一種新的晶體管結(jié)構(gòu) —— 環(huán)繞柵極(IT之家注:Gate-All-Around, GAA)。GAA 晶體管通過垂直排列的水平納米片,在四個側(cè)面包圍通道,而前代的鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)僅能覆蓋三面。GAA 晶體管具有更低的漏電率和更高的驅(qū)動電流,從而提升了性能。

            雖然臺積電的 2nm 試產(chǎn)良率已達到 60%,并有望在明年量產(chǎn)時突破 70%,但其主要競爭對手三星代工(Samsung Foundry)卻仍在為低良率問題苦苦掙扎。據(jù)傳,三星的 2nm 工藝良率僅在 10%-20% 之間。

            這并非三星首次因低良率問題受到影響。早在 2022 年,三星在生產(chǎn)驍龍 8 Gen 1 芯片時的低良率導(dǎo)致高通將訂單轉(zhuǎn)交臺積電,并開發(fā)了改進版的驍龍 8+ Gen 1 芯片。從那時起,高通的旗艦手機處理器便一直由臺積電生產(chǎn)。




            關(guān)鍵詞: 臺積電 2nm 芯片

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