在歐洲開放創(chuàng)新平臺（OIP）論壇上，臺積電表示電子設計自動化（EDA）工具和第三方IP模塊已為性能增強型N2P/N2X制程技術做好準備。目前，Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具，都已經通過N2P工藝開發(fā)套件（PDK）版本0.9的認證，該版本PDK被認為足夠成熟。

這意味著各種芯片設計廠商現(xiàn)在可以基于臺積電第二代2nm制程節(jié)點開發(fā)芯片。據悉，臺積電計劃在2025年末開始大規(guī)模量產N2工藝，同時A16工藝計劃在2026年末開始投產。

臺積電N2系列工藝技術相較于其前代的主要增強之處在于納米片全柵極（GAA）晶體管和超高性能金屬-絕緣體-金屬（SHPMIM）電容 —— 納米片GAA晶體管的優(yōu)勢是可以通過調整通道寬度來定制高性能或低泄漏操作，SHPMIM電容則可以增強電源穩(wěn)定性并促進片上解耦。

與第一代N2工藝相比，N2P會有額外的改進：功耗降低5%-10%（在相同頻率和晶體管數(shù)量下）或性能提高5%-10%（在相同功耗和晶體管數(shù)量下）；而N2X會擁有比N2和N2P更高的FMAX電壓，能夠為數(shù)據中心CPU、GPU和專用ASIC提供更好的性能。在IP層面，N2P和N2X兼容，因此打算使用N2X的公司無需重新開發(fā)為N2P設計的任何東西。

臺積電還成功縮小了2nm制程節(jié)點上的SRAM單元尺寸，將HD SRAM位單元尺寸縮小到約0.0175μm2（約減小了10%），大幅提升SRAM密度。這一改進對于提高處理大批量數(shù)據的能力至關重要，因為更大的緩存容量意味著更少的內存訪問，從而節(jié)省了性能和電力消耗。此外，臺積電還開發(fā)了RDL（低阻值重置導線層）、超高效能金屬層間（MiM）電容，以進一步提高性能。

后續(xù)的A16將結合臺積電的超級電軌（Super Power Rail）架構，也就是背部供電技術，這可以在正面釋放出更多的布局空間，提升邏輯密度和效能，適用于具有復雜訊號及密集供電網絡的高性能計算（HPC）產品。

臺積電指出目前主要客戶已完成2nm IP設計，并已經開始進行驗證。按照3nm節(jié)點由蘋果A系列首發(fā)登場來看，首先進行2nm流片驗證的很可能還是蘋果的A系列芯片。但是由于2nm制程最早也得于2025年量產，所以iPhone 17所搭載的芯片很可能還是由臺積電3nm打造，需要等到iPhone 18上我們才能看到2nm的芯片登場。

前段時間，臺積電董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家表示，客戶對于2nm的詢問多于3nm，看起來更受客戶的歡迎。為了應對市場對2nm工藝技術的強勁需求，臺積電持續(xù)對該制程節(jié)點進行投資，加快了2nm產線的建設，并進一步擴大了產能規(guī)劃。

臺積電高雄2nm新廠今天將舉行設備進機典禮，該廠是臺積電在高雄的首座12英寸廠，原計劃相關設備最快2025年Q3進機，現(xiàn)在整體進度較原計劃超前半年以上。目前，臺積電2nm布局主要是在新竹寶山、高雄新廠兩路并進，其中寶山一廠已在今年4月進機、6月使用英偉達cuLitho平臺結合AI加速風險試產流程，后續(xù)寶山二廠也會維持進度。