過(guò)去幾年，全球各大公司都在投資 8 英寸 SiC 產(chǎn)線(xiàn)，目前這些投資正在逐步投入運(yùn)營(yíng)。

在全球 SiC 市場(chǎng)，意法半導(dǎo)體（ST）、安森美、英飛凌、Wolfspeed、羅姆、博世、富士電機(jī)、三菱電機(jī)、世界先進(jìn)半導(dǎo)體（VIS）、EPISIL、士蘭微電子、UNT等公司均已宣布計(jì)劃建設(shè)自己的 8 英寸 SiC 芯片工廠(chǎng)（如圖所示）。其中許多公司也在上游襯底和外延材料領(lǐng)域取得了進(jìn)展。

意法半導(dǎo)體（ST）：意法半導(dǎo)體今年 5 月 31 日宣布在意大利卡塔尼亞建設(shè)新的 8 英寸 SiC 工廠(chǎng)，整合 SiC 生產(chǎn)工藝的各個(gè)環(huán)節(jié)。新工廠(chǎng)預(yù)計(jì) 2026 年開(kāi)始生產(chǎn)，2033 年達(dá)到滿(mǎn)負(fù)荷，最高產(chǎn)能為每周 15000 片晶圓，預(yù)計(jì)總投資額約為 50 億歐元。

意法半導(dǎo)體與中國(guó)三安光電合資在中國(guó)重慶建設(shè)的 8 英寸碳化硅（SiC）制造工廠(chǎng)將成為意法半導(dǎo)體的第三個(gè) SiC 生產(chǎn)中心。該項(xiàng)目于 2023 年 6 月 7 日宣布，預(yù)計(jì)將于 2025 年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì) 2028 年全面竣工。

安森美：安森美位于韓國(guó)富川的 SiC 晶圓廠(chǎng)已于 2023 年完成擴(kuò)建，計(jì)劃在完成技術(shù)驗(yàn)證后，于 2025 年過(guò)渡至 8 英寸生產(chǎn)。屆時(shí)產(chǎn)能將擴(kuò)大至目前規(guī)模的 10 倍。

英飛凌：2024 年 8 月 8 日宣布，位于馬來(lái)西亞居林的 8 英寸 SiC 功率半導(dǎo)體晶圓工廠(chǎng)一期正式開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì) 2025 年實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。該項(xiàng)目一期投資額為 20 億歐元，英飛凌還計(jì)劃在未來(lái)五年內(nèi)再投入多達(dá) 50 億歐元進(jìn)行二期建設(shè)。一期項(xiàng)目重點(diǎn)生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體，同時(shí)也涵蓋部分氮化鎵外延生產(chǎn)。

Wolfspeed：Wolfspeed 擁有全球首座、規(guī)模最大的 8 英寸 SiC 工廠(chǎng)，位于美國(guó)紐約州莫霍克谷，于 2022 年 4 月正式開(kāi)業(yè)。截至今年 6 月，該工廠(chǎng)已實(shí)現(xiàn) 20% 的晶圓利用率。

2023 年 1 月，Wolfspeed 與汽車(chē)零部件供應(yīng)商 ZF 宣布計(jì)劃在德國(guó)薩爾州建設(shè)全球最大、最先進(jìn)的 8 英寸 SiC 器件制造工廠(chǎng)。這一項(xiàng)目目前已被推遲，目前預(yù)計(jì)最早也要到 2025 年才能開(kāi)工。

ROHM：在日本福岡縣筑后市建設(shè) SiC 新工廠(chǎng)，2022 年開(kāi)始量產(chǎn)，計(jì)劃 2025 年實(shí)現(xiàn)從 6 英寸晶圓生產(chǎn)過(guò)渡到 8 英寸晶圓生產(chǎn)。2023 年 7 月，ROHM 宣布計(jì)劃 2024 年底在日本宮崎縣第二工廠(chǎng)開(kāi)始生產(chǎn) 8 英寸 SiC 基板。

博世：博世位于德國(guó)羅伊特林根的工廠(chǎng)于 2021 年開(kāi)始生產(chǎn) 6 英寸 SiC 晶圓，目前該工廠(chǎng)也生產(chǎn) 8 英寸 SiC 晶圓。位于美國(guó)羅斯維爾的工廠(chǎng)預(yù)計(jì)將于 2026 年開(kāi)始生產(chǎn) 8 英寸 SiC 晶圓。

三菱電機(jī)：今年 5 月下旬宣布，位于日本熊本縣的 8 英寸 SiC 工廠(chǎng)將于 2025 年 9 月完工，投產(chǎn)時(shí)間從 2026 年 4 月提前至 2025 年 11 月。三菱電機(jī)做出這一調(diào)整是為了響應(yīng)強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求，其半導(dǎo)體和器件事業(yè)部高級(jí)執(zhí)行官兼總經(jīng)理表示，汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域 SiC 功率半導(dǎo)體的咨詢(xún)正在增加，通過(guò)生產(chǎn) 8 英寸產(chǎn)品（與現(xiàn)有產(chǎn)品相比生產(chǎn)效率更高）可應(yīng)對(duì)需求的增長(zhǎng)。

富士電機(jī)：今年 1 月，富士電機(jī)宣布未來(lái) 3 年（2024～2026 財(cái)年）投資 2000 億日元用于 SiC 功率半導(dǎo)體生產(chǎn)，其中日本松本工廠(chǎng)的 8 英寸 SiC 產(chǎn)能預(yù)計(jì)于 2027 年投產(chǎn)。

聯(lián)合利華：在紹興越城區(qū)建設(shè)首條 8 英寸 SiC MOSFET 晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，今年 4 月完成工程批次，預(yù)計(jì)明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

士蘭微電子（Silan）：今年 6 月 18 日，我國(guó)首條 8 英寸 SiC 功率器件芯片制造線(xiàn)項(xiàng)目在廈門(mén)正式啟動(dòng)，總投資 120 億元人民幣。項(xiàng)目分兩期建設(shè)，年產(chǎn)能為 72 萬(wàn)片 8 英寸 SiC 功率器件芯片。一期投資 70 億元人民幣，預(yù)計(jì) 2025 年三季度末完成初步并網(wǎng)，四季度試產(chǎn)，年產(chǎn)量目標(biāo)為 2 萬(wàn)片晶圓。二期投資約 50 億元人民幣。

世界先進(jìn)半導(dǎo)體（VIS）與 EPISIL：世界先進(jìn)半導(dǎo)體 9 月 10 日宣布，擬投資 24.8 億新臺(tái)幣收購(gòu) EPISIL 13% 股權(quán)，雙方將合作研發(fā)及生產(chǎn) 8 英寸 SiC 晶圓技術(shù)，預(yù)計(jì) 2026 年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

泰國(guó)首家 SiC 工廠(chǎng)：近日，泰國(guó)合資公司 FT1 Corporation 投資 115 億泰銖（3.5 億美元），利用從韓國(guó)芯片制造商轉(zhuǎn)讓的技術(shù)，建設(shè)泰國(guó)首家 SiC 工廠(chǎng)，生產(chǎn) 6 英寸和 8 英寸晶圓。該工廠(chǎng)預(yù)計(jì)將于 2027 年第一季度投產(chǎn)，以滿(mǎn)足汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心和儲(chǔ)能市場(chǎng)日益增長(zhǎng)的需求。

前述 14 家 SiC 工廠(chǎng)（其中 12 家在建）中，目前僅有Wolfspeed 的 Mohawk Valley 工廠(chǎng)短期內(nèi)能夠供應(yīng) 8 英寸 SiC 晶圓，其他廠(chǎng)商預(yù)計(jì)明年起將陸續(xù)開(kāi)始供應(yīng) 8 英寸 SiC 晶圓。