中國臺灣自研重點放在半導(dǎo)體關(guān)鍵材料自主化，9家廠商年底將進行終端產(chǎn)線驗證。 最快明年深紫外光（DUV）曝光機的光阻劑核心材料，可打入臺積電、聯(lián)電等代工大廠產(chǎn)線中。

微影制程是在晶圓上制作電路圖案，隨著精細度有DUV、EUV（極紫外光）差別。 光阻劑是一種光敏感材料，由樹脂、光敏感劑、溶劑和添加劑等組成，乃微影不可或缺重要材料。 至于曝光機的光罩部份，島內(nèi)像是家登都有生產(chǎn)，比例已不低。

但過去晶圓代工制程曾發(fā)生過光阻劑大缺貨，為了把關(guān)鍵材料掌握在自己手中，島內(nèi)推動兩期半導(dǎo)體先進制程與封裝材料研發(fā)。 第一期2022年完成，共7家業(yè)者開發(fā)深紫外光光阻周邊材料、7到10納米制程用原子層沉積前驅(qū)物、六吋半絕緣碳化硅晶圓等，都完成下游客戶驗證，后續(xù)量產(chǎn)投資34億元。

島內(nèi)表述補助9家供應(yīng)鏈業(yè)者開發(fā)8項材料，包含深紫外光光阻材料、3到5納米制程原子層沉積前驅(qū)物、干膜光阻材料等，到2024年底結(jié)束。

法人智庫工研院表示，目前光阻劑都掌握在日本手上，關(guān)鍵材自主計劃希望把周邊材料、配方都改由島內(nèi)生產(chǎn)。 第二期的光阻劑研發(fā)是往更核心材料發(fā)展，像是感光樹脂中的起始劑、添加劑等。

等到核心光阻劑材料年底驗證完后，工研院說，最快明年廠商就可試量產(chǎn)。 至于供應(yīng)量多少，要看上游臺積電、聯(lián)電、力積電需求，涉及商業(yè)機密，但目標是逐步取代從日本進口。

雖然DUV傳統(tǒng)是成熟制程或至少7納米以上使用，但工研院表示，透過節(jié)點調(diào)整，DUV也可以應(yīng)用到5納米、3納米，只是良率多寡而已，中國大陸就是靠節(jié)點調(diào)整去生產(chǎn)先進制程芯片。

工研院強調(diào)，最終國內(nèi)會走向DUV光阻劑等周邊材生產(chǎn)全部本土化，下一步還會朝EUV周邊材自主化去走，目前極紫外光已經(jīng)有放入前瞻計劃中研發(fā)，不過需要時間，還有點遠。