6月21日消息，據(jù)日媒報道，在CoWoS訂單滿載、積極擴產(chǎn)之際，臺積電也準備要切入產(chǎn)出量比現(xiàn)有先進封裝技術高數(shù)倍的面板級扇出型封裝技術。而在此之前，英特爾、三星等都已經(jīng)在積極的布局面板級封裝技術以及玻璃基板技術。

報道稱，為應對未來AI需求趨勢，臺積電正與設備和原料供應商合作，準備研發(fā)新的先進封裝技術，計劃是利用類似矩形面板的基板進行封裝，取代目前所采用的傳統(tǒng)圓形晶圓，從而能以在單片基板上放置更多芯片組。

資料顯示，扇出面板級封裝（FOPLP）是基于重新布線層（RDL）工藝，將芯片重新分布在大面板上進行互連的先進封裝技術，能夠?qū)⒍鄠€芯片、無源元件和互連集成在一個封裝內(nèi)。FOPLP與傳統(tǒng)封裝方法相比，提供了更大的靈活性、可擴展性和成本效益。

據(jù)Yole的報告顯示，F(xiàn)OWLP技術的面積使用率<85%，F(xiàn)OPLP面積使用率>95%，這使得300mm×300mm的面板比同尺寸12英寸的晶圓可以多容納1.64倍的die。如果采用600mm×600mm的面板，那么可能將會帶來近5倍的提升。

消息人士稱，臺積電目前的試驗是采用515mm×510mm的矩形基板，可用面積將會是目前的12英寸晶圓的三倍多，矩形基板也將使得邊緣留下的未用面積減少。

臺積電目前主要以CoWoS為高性能計算（HPC）芯片客戶提供先進封裝服務，并正擴張CoWoS產(chǎn)能，最新的廠區(qū)落腳南科嘉義園區(qū)。

臺積電的CoWoS先進封裝技術能合并兩組英偉達的Balckwell GPU芯片、以及八組高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，但隨著單組芯片要容納更多晶體管、整合更多HBM，產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)行標準的12英寸晶圓可能在兩年后就不足以用來封裝先進芯片，因此需要產(chǎn)出性能比現(xiàn)有先進封裝技術高數(shù)倍的面板級扇出型封裝。

三星、英特爾也早已意識到上述問題，紛紛投入新一代的先進封裝技術。三星現(xiàn)有自家先進封裝服務包含I-Cube 2.5D封裝以及X-Cube 3D IC封裝、2D FOPKG封裝等。對于移動手機或穿戴式裝置等需要低功耗內(nèi)存整合的應用，三星已提供面板級扇出型封裝和晶圓級扇出型封裝等平臺。

英特爾也規(guī)劃推出業(yè)界首款、用于下一代先進封裝的玻璃基板方案，規(guī)劃2026年至2030年量產(chǎn)，并預期需要更大體積封裝、更高速應用及工作負載的數(shù)據(jù)中心、AI、GPU等領域，將是最先導入的市場。本月初，據(jù)日經(jīng)新聞報導，英特爾近期和14家日本合作伙伴攜手，計劃租用夏普閑置的液晶面板廠作為先進半導體技術的研發(fā)中心，或?qū)檠邪l(fā)面板級封裝技術。