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            EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 臺(tái)積電計(jì)劃 2025 年推出 N4C 工藝,相比 N4P 成本最高降幅 8.5%

            臺(tái)積電計(jì)劃 2025 年推出 N4C 工藝,相比 N4P 成本最高降幅 8.5%

            作者: 時(shí)間:2024-04-26 來源:IT之家 收藏

            IT之家 4 月 26 日消息,近日展示了全新 級(jí)別生產(chǎn)工藝 N4C,通過顯著降低成本和優(yōu)化設(shè)計(jì)能效,進(jìn)一步增強(qiáng) 5nm 級(jí)別生產(chǎn)工藝。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202404/458129.htm

            公司近日舉辦了 2024 北美技術(shù)研討會(huì),IT之家翻譯該公司業(yè)務(wù)開發(fā)副總裁張凱文內(nèi)容如下:

            我們的 5nm 和 工藝周期還未結(jié)束,從 N5 到 N4,光學(xué)微縮密度改進(jìn)了 4%,而且我們會(huì)繼續(xù)增強(qiáng)晶體管性能。

            我們現(xiàn)在為 技術(shù)陣容引入 N4C 工藝,讓我們的客戶能夠消除一些掩模并改進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)單元和 SRAM 等原始 IP 設(shè)計(jì),以進(jìn)一步降低總體產(chǎn)品級(jí)擁有成本。

            N4C 工藝進(jìn)一步擴(kuò)充了 N5 / N4 節(jié)點(diǎn)系列陣容,建立在 N4P 工藝技術(shù)上,通過重新設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)單元和 SRAM 單元、改變一些設(shè)計(jì)規(guī)則以及減少使用的掩模層數(shù)量,成本比 N4P 最多可以降低 8.5%。




            關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 晶圓代工 4nm

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