據(jù)美國政府官方聲明，臺積電已與美國商務(wù)部達(dá)成不具約束力的初步條款備忘錄（PMT）。臺積電將獲得最高可達(dá)66億美元的直接資金補(bǔ)貼，根據(jù)初步協(xié)議還將向臺積電的晶圓廠建設(shè)提供最高可達(dá)50億美元的貸款。同時(shí)，臺積電計(jì)劃向美國財(cái)政部就TSMC Arizona資本支出中符合條件的部分，申請最高可達(dá)25%的投資稅收抵免。

臺積電方面承諾在亞利桑那州設(shè)立第三座晶圓廠，有助于提高產(chǎn)量，滿足市場對高性能芯片的需求，進(jìn)而在亞利桑那州打造一個(gè)前沿半導(dǎo)體集群。另外，這將有助于臺積電在應(yīng)對地緣政治風(fēng)險(xiǎn)和供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)方面發(fā)揮更大作用。

臺積電在美的整體投資將超650億美元，可在十年間為亞利桑那州當(dāng)?shù)貏?chuàng)造6000個(gè)直接工作崗位和數(shù)以萬計(jì)的間接崗位，此外還有累計(jì)超20000個(gè)的相關(guān)建筑業(yè)崗位。

現(xiàn)階段，臺積電正在當(dāng)?shù)嘏d建兩座晶圓廠。不過，因?yàn)榘ㄙY金補(bǔ)助在內(nèi)的種種問題，2023年臺積電宣布在亞利桑那州建設(shè)的兩座廠房中，晶圓一廠(Fab21)的啟用時(shí)間從2024年推遲到2025年。2024年1月，又宣布原定于2026年開始營運(yùn)的晶圓二廠，要等到2027或2028年才會進(jìn)行量產(chǎn)作業(yè)。

其中，晶圓一廠將提供4nm FinFET產(chǎn)能，晶圓二廠則將在3nm工藝外再引入2nm GAA工藝。兩座晶圓廠完工后，合計(jì)將年產(chǎn)超過60萬片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場價(jià)值預(yù)估超過400億美元。

第三座晶圓廠預(yù)計(jì)將于2030年投入運(yùn)營，采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。第三座晶圓廠的設(shè)立計(jì)劃將使臺積電在亞利桑那州鳳凰城據(jù)點(diǎn)的總資本支出超過650億美元，該據(jù)點(diǎn)為亞利桑那州史上規(guī)模最大的外國直接投資案。

根據(jù)先前路透社的報(bào)導(dǎo)指出，臺積電計(jì)劃擴(kuò)大在美國亞利桑那州的投資設(shè)廠，預(yù)計(jì)將會興建達(dá)6座晶圓廠。對此，當(dāng)時(shí)臺積電雖然回應(yīng)亞利桑那州建廠計(jì)劃依原訂計(jì)劃執(zhí)行。然而，臺積電總裁魏哲家先前也曾表示，臺積電在亞利桑那州已取得大范圍的土地以維持彈性，進(jìn)一步擴(kuò)建是有可能的，但必須根據(jù)營運(yùn)效率、成本效益，及客戶需求來決定下一步計(jì)劃。

美國芯片法案目前資金分配情況

此前英特爾也與美國商務(wù)部簽署了類似的條款備忘錄，涉及至多85億美元直接補(bǔ)貼和110億美元貸款。