11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。

該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達(dá)175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。

據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái)，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。