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            SK海力士全球最高速LPDDR5T移動DRAM與高通完成性能驗證

            作者: 時間:2023-10-25 來源:美通社 收藏

            25日宣布, 公司開始推進"(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*,其目前中可實現(xiàn)9.6Gbps(每秒9.6千兆)最高速度。表示,最近獲得了將 DRAM適用于美國高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies,以下簡稱高通)最新第三代驍龍8移動平臺(Snapdragon?8 Gen 3 Mobile Platform)的業(yè)內(nèi)首次認證。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202310/452052.htm

            SK hynix LPDDR5T
            SK hynix

            *LPDDR(低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率):是用于智能手機和平板電腦等移動端產(chǎn)品的DRAM規(guī)格,因以耗電量最小化為目的,具有低電壓運行特征。規(guī)格名稱附有"LP(Low Power,低功耗)",最新規(guī)格為第七代LPDDR(5X),按1-2-3-4-4X-5-5X的順序開發(fā)而成。LPDDR5T是業(yè)內(nèi)首次開發(fā)的產(chǎn)品,是第八代LPDDR6正式問世之前,將第七代LPDDR(5X)性能進一步升級的產(chǎn)品。

            自今年1月開發(fā)出LPDDR5T DRAM以來,SK海力士與高通進行了兼容性驗證合作。兩家公司在結(jié)合LPDDR5T DRAM和高通的最新第三代驍龍8移動平臺的智能手機上進行驗證得出,兩款產(chǎn)品都發(fā)揮出了優(yōu)秀的性能。

            SK海力士強調(diào):"公司的LPDDR5T DRAM成功完成與全球權(quán)威通信芯片公司高通等主要移動AP(Application Processor)供應商的性能驗證,今后移動設備中LPDDR5T DRAM的布局將迅速擴大。"

            公司計劃向客戶提供以LPDDR5T DRAM單品芯片結(jié)合而成的16GB(千兆)容量套裝產(chǎn)品。該產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度為每秒77GB,其相當于1秒內(nèi)可處理15部全高清(Full-HD,F(xiàn)HD)級電影。

            另外,LPDDR5T DRAM可在國際半導體標準化組織(JEDEC)規(guī)定的最低電壓標準范圍1.01~1.12V(伏特)下運行,在功耗方面也具備了優(yōu)勢。

            SK海力士技術(shù)團隊在開發(fā)該產(chǎn)品的過程中,采用了HKMG(High-K Metal Gate)*工藝,在運行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待,在下一代的LPDDR6 DRAM問世前,LPDDR5T DRAM在市場上占據(jù)很大比重。

            *HKMG:在DRAM晶體管內(nèi)的絕緣膜上采用高K柵電介質(zhì),在防止漏電的同時還可改善電容(Capacitance)的新一代工藝。不僅可以提高內(nèi)存速度,還可降低功耗。SK海力士于去年11月在上全球首次采用了HKMG工藝。

            高通技術(shù)公司產(chǎn)品管理高級副總裁(Senior Vice President of Product Management)Ziad Asghar表示:"第三代驍龍8產(chǎn)品可以低功耗下無延遲驅(qū)動生成型AI為基礎的大語言模型(LLM)和大視覺模型(LVM)。驍龍移動平臺和SK海力士的最高速移動DRAM相結(jié)合,智能手機用戶將能夠體驗驚人的AI功能。"

            SK海力士DRAM商品企劃擔當副社長柳成洙表示:"LPDDR5T DRAM成功滿足了全球客戶對超高性能移動DRAM需求,對此感到很高興。"

            柳副社長還補充道:"預計今后智能手機將成長為驅(qū)動AI技術(shù)的核心應用。為此,需要通過移動DRAM持續(xù)提高智能手機的性能,公司將繼續(xù)加強與高通的合作,努力提高該領域的技術(shù)能力。"




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