臺積電3納米差點背鍋!iPhone15發(fā)熱禍首是一零件
iPhone 15 Pro系列新機出現(xiàn)容易過熱的毛病,外界一度以為是臺積電3納米的問題,但蘋果官方上周末發(fā)聲明表示,主要是iOS 17系統(tǒng)的漏洞與第三方應用程序(APP)交互作用下所導致。此外,有業(yè)內(nèi)人士爆料,罪魁禍首恐怕是規(guī)格升級的DRAM(動態(tài)隨機存取內(nèi)存)造成運行龐大負擔。
本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202310/451138.htm知名科技爆料者Revegnus在社群軟件X(原名Twitter)上引述一位熟悉蘋果半導體業(yè)務的達人說法,「幾乎已經(jīng)確定iPhone 15系列的DRAM是發(fā)燙的罪魁禍首,規(guī)格升級的DRAM為了配合數(shù)據(jù)處理速度,消耗了更多電力,這個過程中就會產(chǎn)生熱?!?/p>
Revegnus也提到,該名業(yè)內(nèi)人士認為,此問題可能會在一至兩個月內(nèi)解決,并已經(jīng)排除其他會引起過熱的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新機后發(fā)現(xiàn),搭載的DRAM是美光最先進的D1β LPDDR5 DRAM芯片。
此前,韓媒將iPhone 15過熱原因指向臺積電3納米制程,并提到此跡象可能是FinFET制程技術(shù)已經(jīng)到達極限,而提早在3納米轉(zhuǎn)進GAA制程的三星將有突破點,且如果市場對臺積電3納米存疑,客戶可能會轉(zhuǎn)向或同時采用三星的產(chǎn)品,引起熱烈討論。
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