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            臺(tái)積電開始為蘋果及英偉達(dá)試產(chǎn)2納米芯片

            作者: 時(shí)間:2023-06-20 來源:TechNews科技新報(bào) 收藏

            據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),全球晶圓代工龍頭不但已開始開發(fā)制程,拉大了與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距,而且最近也開始準(zhǔn)備為Apple和NVIDIA開始試產(chǎn)產(chǎn)品。另外,為了進(jìn)一步開發(fā)制程技術(shù),將派遣約1,000名研發(fā)人員前往目前正在建設(shè)中的Fab 20晶圓廠工作。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202306/447823.htm

            外媒Patently apple報(bào)導(dǎo)指出,三星電子于2022年6月采用GAA技術(shù)開始量產(chǎn)3納米制程芯片,比提前6個(gè)月,成為全球首家量產(chǎn)該制程技術(shù)的企業(yè)。而受到三星先發(fā)制人的沖擊,臺(tái)積電高層多次公開2納米制程技術(shù)的發(fā)展計(jì)劃,形成先進(jìn)制程發(fā)展競(jìng)賽。此外,有報(bào)道還稱,當(dāng)前的臺(tái)積電還在開發(fā)芯片背面供電的技術(shù),目標(biāo)是到2026年使用該技術(shù)。

            除了臺(tái)積電之外,先前宣布計(jì)劃在2021年重新進(jìn)入晶圓代工業(yè)務(wù)的處理器大廠英特爾(Intel)也加入了先進(jìn)制程研發(fā)競(jìng)賽。這家美國(guó)半導(dǎo)體大廠在當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月1日的線上活動(dòng)中公布其芯片背面電源解決方案PowerVia的技術(shù)發(fā)展、測(cè)試數(shù)據(jù)和路線圖,開始擴(kuò)大其在晶圓代工產(chǎn)業(yè)的影響力。

            此外,英特爾設(shè)定了一個(gè)目標(biāo),就是在2024年下半年將其代工技術(shù)推進(jìn)到1.8納米的節(jié)點(diǎn)。3月,該公司制定了一項(xiàng)計(jì)劃,就是藉由與ARM建立合作伙伴關(guān)系,達(dá)成1.8納米制程技術(shù)的量產(chǎn)。不過,市場(chǎng)人士也存在一些不確定看法,認(rèn)為即使英特爾按照路線圖取得成功,但最終要達(dá)到收支平衡,對(duì)公司來說仍是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。

            報(bào)導(dǎo)還說明了臺(tái)積電另一競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星的情況,就是三星DS部門總裁Kyung Kye-hyun于5月初的一次演講中表示,三星計(jì)劃超越臺(tái)積電,目標(biāo)就是從比臺(tái)積電更早使用GAA技術(shù)的2納米制程開始。

            事實(shí)上,臺(tái)積電除了先進(jìn)制程之外,也透過先進(jìn)封裝技術(shù)來維持技術(shù)的領(lǐng)先。不久前,臺(tái)積電就宣布先進(jìn)封測(cè)六廠啟用正式啟用,成為臺(tái)積電首家達(dá)成前后端制程3D Fabric整合一體化自動(dòng)化先進(jìn)封測(cè)廠和測(cè)試服務(wù)工廠。同時(shí),也為TSMC-SoIC(系統(tǒng)整合芯片)制程技術(shù)的量產(chǎn)做準(zhǔn)備。先進(jìn)封測(cè)六廠的啟用,將使臺(tái)積電對(duì)SoIC、InFO、CoWoS、先進(jìn)測(cè)試等各項(xiàng)TSMC 3DFabric先進(jìn)封裝與硅堆疊技術(shù),擁有更完整及靈活的產(chǎn)能規(guī)劃之外,也帶來更高的生產(chǎn)良率與效能協(xié)同效應(yīng)。



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