無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計算SoC問世：功耗低至1毫安
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臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝，這是當(dāng)前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，然而3nm這樣的工藝不僅成本極高，同時SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn)，國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首顆商用存內(nèi)計算SoC。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/202212/442187.htm存內(nèi)計算是一種新型架構(gòu)的芯片，相比當(dāng)前的計算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同， 存內(nèi)計算是計算與數(shù)據(jù)存儲一體，可以解決內(nèi)存墻的問題，該技術(shù)60年代就有提出，只是一直沒有商業(yè)化。
知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計算SoC芯片，擁有高算力存內(nèi)計算核，相對于NPU、DSP和MCU計算平臺，其AI算力提高了10-200倍。
據(jù)該公司創(chuàng)始人、CEO王紹迪介紹，這款芯片是知存科技首次嘗試在低功耗場景下量產(chǎn)的存內(nèi)計算芯片，一般運行功耗在1毫安至5毫安之間。
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