日前，臺積電發(fā)出活動通知，預計12月29日在臺南科學園區(qū)的晶圓18廠新建工程基地，舉行3納米量產(chǎn)暨擴廠典禮，屆時將有上梁儀式。

業(yè)界認為，由于臺積電過往先進制程量產(chǎn)罕有舉辦實體活動，此舉意義重大。據(jù)臺灣地區(qū)媒體經(jīng)濟日報報道，臺積電擴大美國投資，外派工程師赴美支援，引發(fā)“去臺化”、掏空臺灣疑慮，即將舉行的3納米量產(chǎn)暨擴廠典禮，罕見以實際行動宣示持續(xù)深耕臺灣的決心，化解外界疑慮。

報道指出，相較于對手三星（Samsung）于今年6月30日搶先宣布3納米GAA技術(shù)量產(chǎn)，并于7月25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)盛大舉行3納米GAA晶片產(chǎn)品出廠紀念活動，臺積電3納米量產(chǎn)時間晚了近半年。

此前，臺積電總裁魏哲家曾表示，3納米技術(shù)發(fā)展很困難，有許多客戶踴躍合作，臺積電3納米沿用FinFET架構(gòu)，是經(jīng)過考慮良久，制程技術(shù)推出不是好看、要實用，要協(xié)助客戶讓產(chǎn)品持續(xù)推進。

相較于5納米，臺積電3納米制程技術(shù)的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。預計蘋果及英特爾等客戶都將采用臺積電3納米制程。

據(jù)了解，臺積電的南科晶圓18廠是5納米及3納米的生產(chǎn)基地，其中，晶圓18廠5期至9期廠房是3納米生產(chǎn)基地。

臺積電美國亞利桑那州廠第1期工程，預計2024年量產(chǎn)4納米；第2期工程開始興建，預計2026年生產(chǎn)3納米制程，兩期工程總投資金額約400億美元，兩期工程完工后合計將年產(chǎn)超過60萬片晶圓。

對于赴美投資引發(fā)的“去臺化”、掏空臺灣疑慮，魏哲家在日前參加活動中的演講時以“門都沒有”回應。他說，半導體產(chǎn)業(yè)用的是腦力，在大部分國家都有工程師不足情況；不是工廠搬到哪個地方，那個地方就會發(fā)展茂盛，“門都沒有”。