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            RS瑞森半導體高壓MOS在開關電源中的應用

            作者: 時間:2022-11-11 來源:瑞森半導體 收藏

            (Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關變換器,是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置,也是一種以半導體功率器件為開關管,控制其關斷開啟時間比率,來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202211/440313.htm


            (Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關變換器,是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置,也是一種以半導體功率器件為開關管,控制其關斷開啟時間比率,來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。在目前電子產品的飛速增長中,憑借其70%~90%的電源效率,廣泛應用于各種電器設備及電機等,得到了市場的一致好評。


            RS瑞森半導體高壓MOS在開關電源中的應用


            一、開關電源分類


            開關電源種類繁多,具體可按照以下分類:


            按開關管的個數(shù)及銜接辦法,可分為單端式、推挽式、半橋式和全橋式等;


            按激勵辦法,可分為自激式和他激式;


            按調制辦法,可分為脈寬調制(PWM)辦法和脈頻調制(PFM);


            按能量傳遞辦法又可分為正激式和反激式。


            無論何種方式,基本原理都是使用管作為開關管控制,通過變壓器的電流頻率和占空比,來達到調制電壓目的。同時因為大部分開關電源都會將市電轉換為所需電壓,故作為開關管的多為高壓,其中以500V、600V、650V居多,甚至有些部分電路需要900V的開關MOS管。下圖為常見的正激和反激式開關電源電路。


            RS瑞森半導體高壓MOS在開關電源中的應用


            二、開關電源的MOS管選型注意事項


            為使開關電源穩(wěn)定高效的工作,需選用合適的MOS管作為開關管,在開關電源的MOS管選型中,主要注意以下幾點:


            1.在電源電路的應用中,VDSS(漏源電壓)是首先要考慮的參數(shù)。其應用中MOS的最大漏源電壓峰值不應大于器件規(guī)范中漏源擊穿電壓標稱值的90%,否則在應用中容易造成MOS的擊穿,如下圖所示反映在MOS管的datasheet中。


            RS瑞森半導體高壓MOS在開關電源中的應用


            2.確定MOS管的額定電流,該額定電流應是電路中負載在所有情況下能會產生的最大電流。因而所選的MOS管必須確保能承受這個額定電流。datasheet電流分為連續(xù)模式電流ID和脈沖尖峰電流IDM。在連續(xù)導通ID模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰IDM是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。另外注意,MOS管的電流跟溫度是負相關,隨著工作時溫度上升,MOS通過電流能力會降低,所以要根據(jù)實際應用環(huán)境溫度去選擇合適的MOS額定電流。MOS管電流和溫度關系如下圖:


            RS瑞森半導體高壓MOS在開關電源中的應用


            3.MOS管另一個重要參數(shù)是RDS(ON),即MOS管在導通時存在的內阻,它會導致使用過程中電能損耗,也稱之為導通損耗。MOS管RDS(ON)與施加的電壓VGS有關,在一定范圍內VGS越高RDS(ON)就會越小,但當VGS達到一定閥值時,VGS繼續(xù)升高并不會造成RDS(ON)太大變化,這稱之為MOS的完全開啟。設計電路時,要注意控制電路的IC電壓與MOS的開啟電壓是否匹配以及控制IC電壓能否使MOS管完全開啟。如果未完全導通會使得RDS(ON)變大,導致?lián)p耗增加和管體溫度上升等問題。另外,MOS管的RDS(ON)和溫度呈正相關,會隨著溫度上升RDS(ON)升高而使導通損耗變大。MOS管的RDS(ON)和溫度關系如下圖:


            RS瑞森半導體高壓MOS在開關電源中的應用


            4.MOS管的開關性能:影響開關性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容和反向恢復時間。在datasheet中,通常表現(xiàn)為Ciss(輸入電容),Coss(輸出電容):Crss(反向傳輸電容)和Trr。在MOS管工作時,每次開關都要對它們充電,這些電容會在器件中產生開關損耗,并且會導致MOS管的開關速度被降低,器件效率也下降,但這并不意味著越低的電容越好,較低的電容量雖然會提高開關速度,也容易導致電路中的尖峰電壓升高和EMI變大,所以在電路設計時,MOS的電容以及電荷的選擇往往都是各需求折中的結果;其次,Trr會直接影響開關損耗,逆變器電路或者諧振電路對此項參數(shù)的要求更加嚴格。


            所以說電路設計是一個復雜的系統(tǒng)工程,需要電路設計工程師們對MOS管的特性、參數(shù)的匹配有著深刻的理解,在產品選型過程中,如果有任何技術問題,歡迎隨時聯(lián)系我司多位資深FAE工程師。


            三、平面高壓MOS產品推薦


            高壓MOS采用新的平面工藝,著重提升MOS管的抗沖擊能力、降低導通內阻RDS(ON),并具有開關速度快的優(yōu)點,為開關電源開發(fā)提供最佳選擇。


            RS瑞森半導體高壓MOS在開關電源中的應用


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            瑞森半導體


            REASUNOS,瑞森半導體是一家致力于功率半導體器件的研發(fā)、銷售、技術支持與服務為一體的國家高新技術企業(yè),研發(fā)團隊成員主要來自行業(yè)頂尖技術精英和知名院?!,F(xiàn)有產品線包括電源管理IC、硅基功率器件、硅基靜電保護器件以及碳化硅基功率器件(碳化硅二極管和碳化硅MOS)。經過數(shù)年的技術積累和市場開拓,瑞森半導體已經成為全球開關電源、綠色照明、電機驅動、數(shù)碼家電、安防工程、光伏逆變、5G基站電源、新能源汽車充電樁等行業(yè)的長期合作伙伴。

            (來源:瑞森半導體)



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