新材料｜產業(yè)鏈限制再加碼，關注半導體材料國產化

　　近期美國對半導體產業(yè)鏈限制持續(xù)加碼，凸顯半導體國產化急迫性，短期看，在自主可控邏輯下，供應體系中的材料龍頭企業(yè)有望充分受益，加速其在國內晶圓廠的產品導入速度，提升市占率。中長期看，半導體材料需求持續(xù)增長，我們看好產業(yè)內技術實力領先，存在放量邏輯，有望充分受益國產化的龍頭公司。

　　▍美國對芯片產業(yè)鏈限制再加碼，涉及設計軟件及超寬禁帶半導體材料。

　　根據(jù)聯(lián)邦公報，8月12日，美國商務部工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布一項臨時最終規(guī)定，對4項“新興和基礎技術”實施最新出口管制，包括開發(fā)GAAFET（環(huán)繞柵極場效應晶體管）結構的集成電路所必需的EDA/ECAD軟件、金剛石和氧化鎵兩類超寬禁帶半導體材料、生產開發(fā)燃氣渦輪發(fā)動機部件或系統(tǒng)的壓力增益燃燒（PGC）技術。其中，前三項均涉及半導體行業(yè)。GAAFET是批量生產3nm及以下半導體制程工藝的關鍵技術，而氧化鎵和金剛石是生產復雜微波、毫米波器件或高功率半導體器件的主要材料。此項臨時最終規(guī)定的發(fā)布亦凸顯出半導體產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)實現(xiàn)國產化的重要性。

　　▍《芯片與科學法案》8月9日簽署，旨在推動美國本土芯片制造。

　　7月28日，美國參眾兩院正式通過《芯片與科學法案》，并由總統(tǒng)拜登于8月9日最終簽署成為美國法律。根據(jù)澎湃新聞報道，該法案涉及總額為2800億美元，其中527億美元將在未來五年內用于直接補貼建設和更新美國芯片廠，100億美元用于在全美創(chuàng)建20個區(qū)域技術中心，2000億美元用于促進半導體、人工智能、機器人、量子計算等關鍵技術研究，此外還為在美建廠企業(yè)提供為期四年25％的投資免稅抵扣，估計價值240億美元。該法案設有“護欄”，禁止獲得補貼的半導體公司在中國大陸、伊朗、朝鮮、俄羅斯大幅增產28nm以下先進制程芯片，限期10年。

　　▍后續(xù)限制范圍擴大風險猶存，凸顯半導體產業(yè)鏈國產化重要性。

　　近期，據(jù)Korea JoongAng Daily報道，韓國政府宣布參加“Ch ip 4”初步會議，“Chip 4”是美國計劃與中國臺灣、韓國、日本組建的芯片聯(lián)盟，以遏制中國大陸半導體產業(yè)的發(fā)展。據(jù)Bloomberg報道，美國向荷蘭和日本施壓，意圖阻止AMSL和尼康向中國大陸出售上一代采用DUV技術的光刻機，而兩年前ASML就已經因為美國施壓而無法將最先進的EUV光刻機售往中國大陸。

　　▍短期看受益國產替代驅動力提升，中長期看材料需求持續(xù)增長。

　　短期看，在自主可控邏輯下，半導體材料國產化訴求強烈，供應體系中的材料龍頭企業(yè)有望充分受益。在國產替代加速推進的過程中，一方面原有大廠供貨比例提升，另一方面新建晶圓廠有望搶占baseline，快速提升市占率。

　　中長期看，半導體材料作為芯片制造的關鍵耗材，在原有晶圓廠保持產能負荷的同時，伴隨新建晶圓廠產能落地帶來的增量，總盤子不斷擴大。中國晶圓制造產能增速顯著高于全球水平，國內材料市場增速更快。同時，技術升級帶動材料的更迭及市場規(guī)模提升，更精密的先進制程、更高的堆疊層數(shù)、更多的工藝步驟等都將帶來材料的價值量提升與用量提升。

　　▍風險因素：

　　地緣政治與貿易摩擦加劇，晶圓廠產能建設進度不及預期，市場競爭加劇，產品研發(fā)及導入進度不及預期。

　　▍投資策略：

　　近期美國對半導體產業(yè)鏈限制持續(xù)加碼，凸顯半導體國產化急迫性，短期看，在自主可控邏輯下，供應體系中的材料龍頭企業(yè)有望充分受益，加速其在國內晶圓廠的產品導入速度，提升市占率。中長期維度看，半導體材料需求持續(xù)增長，我們看好產業(yè)內技術實力領先，存在放量邏輯，有望充分受益國產化的龍頭公司。