臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上公布了新的制程路線圖，定于2025年量產(chǎn)2nm工藝，其采用Nanosheet（納米片電晶體）的微觀結(jié)構(gòu)，取代FinFET。期間，臺(tái)積電甚至規(guī)劃了5種3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，要在2025年前將成熟和專(zhuān)業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%，包括興建更多的晶圓廠。

此前，Intel曾說(shuō)自己是第一個(gè)訂購(gòu)ASML下一代EUV光刻機(jī)的廠商，計(jì)劃2025年前使用上。三星這邊也是不甘示弱，本周副會(huì)長(zhǎng)李在镕親赴荷蘭會(huì)見(jiàn)ASML高層，據(jù)說(shuō)至少爭(zhēng)取到了18臺(tái)（ASML今年預(yù)計(jì)出貨51臺(tái)EUV）。資料顯示，荷蘭ASML正在研發(fā)新款光刻機(jī)High-NA EXE:5200（0.55NA），所謂High-NA也就是高數(shù)值孔徑，2nm之后的節(jié)點(diǎn)都得依賴它實(shí)現(xiàn)。這款光刻機(jī)價(jià)值高達(dá)4億美元（約合26億元人民幣），雙層巴士大、重超200噸。