臺(tái)積電：5nm EUV工藝已在量產(chǎn)、明年推出增強(qiáng)版
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24日，臺(tái)積電舉辦了第26屆技術(shù)研討會(huì)，并披露了旗下最新工藝制程情況。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/202008/417500.htm按照臺(tái)積電的說法，5nm工藝規(guī)劃了兩代，分別是N5和N5P。
其中N5確定引入EUV（極紫外光刻）技術(shù)，并且已經(jīng)在大規(guī)模量產(chǎn)之中。相較于N7，N5的功耗降低了30%、性能提升了15%，邏輯器件密度是之前的1.8倍。
N5P作為改良版，仍在開發(fā)中，規(guī)劃2021年量產(chǎn)，相較于第一代5nm，功耗進(jìn)一步降低10%、性能提升5%，據(jù)稱面向高性能計(jì)算平臺(tái)做了優(yōu)化。
據(jù)手頭資料，臺(tái)積電的5nm有望應(yīng)用在蘋果A14芯片（包括Apple Silicon PC處理器）、華為麒麟9000處理器、高通“驍龍875”、聯(lián)發(fā)科“天璣2000”、AMD第四代EPYC霄龍?zhí)幚砥魃系取?/p>
在7nm這一代上，臺(tái)積電實(shí)際上是三代，分別是N7、N7e和N7P，年底前要來的AMD Zen3家族是N7e。
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