Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級模塊，輸出電流提高11 %
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊 —— SiZF300DT ,將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET? MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix SiZF300DT 提高了功率密度和效率,同時有助于減少元器件數(shù)量,簡化設計,適用于計算和通信應用功率轉(zhuǎn)換。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/202007/415353.htm日前發(fā)布器件中的兩個MOSFET采用半橋配置內(nèi)部連接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V條件下,最大導通電阻分別為4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V條件下,導通電阻分別為1.84 mW和2.57 mW。兩個MOSFET典型柵極電荷分別為6.9 nC和19.4 nC。
SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導通電阻的雙片器件節(jié)省65 %的空間,是市場上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。器件為設計人員提供節(jié)省空間的解決方案,適用于圖形加速卡、計算機、服務器以及通信和RF網(wǎng)絡設備的負載點(POL)轉(zhuǎn)換、電源以及同步降壓和DC / DC轉(zhuǎn)換器。
雙MOSFET采用獨特的引腳配置結(jié)構(gòu),電流相位輸出電流比相同占位面積的同類產(chǎn)品高11 %,此外,輸出電流超過20 A時具有更高的效率。器件引腳配置和大PGND 焊盤還可以增強散熱,優(yōu)化電路,簡化PCB布局。
SiZF300DT 經(jīng)過100 % Rg和UIS測試,符合RoHS要求標準,無鹵素。
新款雙MOSFET模塊現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨供貨周期為12周。
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