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Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級(jí)模塊，輸出電流提高11 %
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊 ——?SiZF300DT?,將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET? MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個(gè)小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix??SiZF300DT?提高了功率密度和效率,同時(shí)有助于減少元器件數(shù)量,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換。日前發(fā)布器件中
- 關(guān)鍵字： MOSEFET PGND
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