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晶圓代工龍頭臺(tái)積電先進(jìn)制程又有新產(chǎn)品推出！根據(jù)國(guó)外科技媒體《anandtech》報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電已悄然推出 7 納米深紫外 DUV（N7）和 5 納米極紫外 EUV（N5）制程的性能增強(qiáng)版本。兩代號(hào)稱(chēng)為 N7P 和 N5P 制程技術(shù)，專(zhuān)門(mén)為需要 7 納米設(shè)計(jì)運(yùn)算更快，或消耗電量更少的客戶(hù)所設(shè)計(jì)。

報(bào)導(dǎo)指出，臺(tái)積電全新 N7P 制程技術(shù)采用與 N7 相同設(shè)計(jì)規(guī)則，但優(yōu)化前端（FEOL）和中端（MOL）架構(gòu)，可在相同耗能下，將性能提升 7%，或者在相同的性能頻率下，降低 10% 的能耗。

全新的 N7P 制程技術(shù)，臺(tái)積電最早是于今年在日本舉辦的 VLSI 研討會(huì)透露相關(guān)訊息，不過(guò)沒(méi)有廣泛宣傳。N7P 目前采用經(jīng)驗(yàn)證的深紫外（DUV）光刻技術(shù)，與 N7 制程技術(shù)相比，沒(méi)有改變電晶體密度。針對(duì)需要電晶體密度高出約 18%~20% 的客戶(hù)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)建議使用 N7+ 或 N6 制程技術(shù)。N6 制程技術(shù)是透過(guò)極紫外（EUV）光刻技術(shù)進(jìn)行晶圓多層處理。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，除了 N7P 的新制程技術(shù)，臺(tái)積電下一個(gè)有顯著電晶體密度提升、改進(jìn)功耗和性能的主要制程節(jié)點(diǎn)，就是 5 納米 N5 制程技術(shù)。臺(tái)積電為此特提供定名為 N5P 的性能增強(qiáng)版本，采用 FEOL 和 MOL 優(yōu)化功能，以便在相同功率下使芯片運(yùn)行速度提高 7%，或在相同頻率下將功耗降低 15%。