英特爾10nm制程工藝指標(biāo)遠(yuǎn)超臺(tái)積電7nm
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英特爾10nm制程工藝姍姍來(lái)遲，受到外界不少的質(zhì)疑。即便在今年臺(tái)北電腦展上英特爾已經(jīng)發(fā)布了10nm處理器，但是首批搭載10nm處理器的電腦究竟何時(shí)上市還是沒(méi)有確切的時(shí)間。此前媒體大多分析將于今年第三季度發(fā)布，如果真是這樣的話，那么可能最早在7月份才能見(jiàn)到英特爾10nm產(chǎn)品。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201906/401870.htm
此外，在英特爾發(fā)布10nm處理器之后，官方參數(shù)顯示10nm處理器的主頻和睿頻基準(zhǔn)都有所降低，尤其是默認(rèn)主頻降幅較大。但是在技術(shù)層面，英特爾表示10nm處理器的IPC提升18%，熟悉處理器的朋友都知道，IPC提升18%是一件非常困難的事情，因此雖然10nm處理器主頻降低，但考慮到大幅提升的IPC，10nm處理器的性能還是值得期待的。
此前GeekBench 4跑分露出了英特爾10代酷睿，也就是首批10nm酷睿處理器的表現(xiàn)，其最終成績(jī)非常不錯(cuò)。而近日，英特爾10nm制程工藝的基本指標(biāo)也被放了出來(lái)，如下：
從上圖可知，英特爾10nm制程在晶體管密度上做到了100.76Mtr/mm2、柵極間距54×44nm，SRAM面積為0.0312μm2，與臺(tái)積電7nm制程相比，在基本指標(biāo)上均取得大幅領(lǐng)先。因此即便之前英特爾官方公布的10nm處理器主頻下降不少，但從IPC性能、晶體管密度、柵極間距等其它關(guān)鍵指標(biāo)來(lái)看，英特爾10代酷睿的性能發(fā)揮值得期待。
編輯點(diǎn)評(píng)
目前，英特爾10nm制程處理器已經(jīng)大規(guī)模發(fā)貨，不過(guò)首批都是應(yīng)用于輕薄型筆記本電腦上的低壓U系列處理器，也就是Ice Lake-U，至于移動(dòng)級(jí)45W標(biāo)壓處理器、桌面65W/95W處理器、甚至是為專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)師、視頻剪輯提供的發(fā)燒平臺(tái)Ice Lake-X、至強(qiáng)D等，還需要等到明年才能看到。
評(píng)論