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            EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > ANSYS獲臺(tái)積電SoIC先進(jìn)3D晶片堆疊技術(shù)認(rèn)證

            ANSYS獲臺(tái)積電SoIC先進(jìn)3D晶片堆疊技術(shù)認(rèn)證

            作者: 時(shí)間:2019-04-26 來(lái)源:CTIMES/SmartAuto 收藏

            針對(duì) (TSMC) 創(chuàng)新系統(tǒng)整合晶片 (TSMC-) 先進(jìn)3D晶片堆疊技術(shù)開(kāi)發(fā)的解決方案已獲認(rèn)證。是一種運(yùn)用Through Silicon Via (TSV) 和chip-on-wafer接合制程,針對(duì)多晶粒堆疊系統(tǒng)層級(jí)整合的先進(jìn)互連技術(shù),對(duì)高度復(fù)雜、要求嚴(yán)苛的云端和資料中心應(yīng)用而言,能提供更高的電源效率和效能。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201904/399932.htm

            多物理場(chǎng) (multiphysics)解決方案支援萃?。╡xtraction)多晶粒共同模擬 (co-simulation) 和共同分析 (co-analysis)、電源和訊號(hào)完整性分析、電源和訊號(hào)電子遷移(electromigration;EM)分析以及熱和熱應(yīng)力分析。

            除SoIC認(rèn)證外,也驗(yàn)證了運(yùn)用 RedHawk、ANSYS RedHawk-CTA、ANSYS CMA、和ANSYS CSM的最新Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) 封裝技術(shù)叁考流程,以及對(duì)應(yīng)的系統(tǒng)層級(jí)分析晶片模型。

            臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)行銷事業(yè)部資深協(xié)理Suk Lee表示:「我們對(duì)與ANSYS合作推出TSMC-SoIC的成果感到非常滿意。這讓客戶可以滿足云端和資料中心應(yīng)用持續(xù)增長(zhǎng)的效能、可靠度和電源需求。本次合作結(jié)合了ANSYS的完整晶片-封裝共同分析(chip-package co-analysis)解決方案及臺(tái)積電的SoIC先進(jìn)制程堆疊技術(shù),來(lái)因應(yīng)復(fù)雜的3D-IC封裝技術(shù)多物理場(chǎng)挑戰(zhàn)?!?/p>

            ANSYS總經(jīng)理John Lee表示:「我們的3D-IC解決方案因應(yīng)了復(fù)雜的多物理場(chǎng)挑戰(zhàn),滿足嚴(yán)苛的電源、效能、散熱和可靠度需求。ANSYS提供完整晶片感知 (chip aware) 系統(tǒng)和系統(tǒng)感知 (system aware) 晶片signoff解決方案,幫助共同客戶更有信心地加速設(shè)計(jì)整。」



            關(guān)鍵詞: ANSYS 臺(tái)積電 SoIC

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