這幾年，曾經(jīng)執(zhí)行業(yè)牛耳的Intel在新工藝方面進(jìn)展遲緩，10nm工藝遲遲無(wú)法規(guī)模量產(chǎn)，一個(gè)很關(guān)鍵的原因就是對(duì)技術(shù)指標(biāo)要求高，投產(chǎn)難度大。

而在另一方面，臺(tái)積電、三星卻是一路高歌猛進(jìn)，除了技術(shù)方面的突破，還采取了更靈活的戰(zhàn)術(shù)，降低新工藝技術(shù)難度，并且每次稍加改進(jìn)就拿出一個(gè)新版本，讓人目不暇接。

比如臺(tái)積電的16nm是個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，12nm則是在其基礎(chǔ)上升級(jí)優(yōu)化而來(lái)。三星就更亂了，除了14nm、10nm、7nm、5nm這些升級(jí)力度比較大的，還有11nm、8nm、6nm、4nm等一系列過(guò)渡版本。

近日，臺(tái)積電宣布5nm EUV工藝已經(jīng)開始試產(chǎn)，相比7nm可將核心面積縮小45％，性能則可提升15％，同時(shí)三星5nm EUV工藝已經(jīng)設(shè)計(jì)完畢，相比7nm可將功耗降低20％，性能提高10％。

現(xiàn)在，臺(tái)積電又正式宣布了6nm(N6)工藝，在已有7nm(N7)工藝的基礎(chǔ)上大幅度增強(qiáng)，號(hào)稱可提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的高性價(jià)比，而且能加速產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)、上市速度。

臺(tái)積電7nm工藝有兩個(gè)版本，第一代采用傳統(tǒng)DUV光刻技術(shù)，第二代則是首次加入EUV極紫外光刻，已進(jìn)入試產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)下一代蘋果A、華為麒麟都會(huì)用。

新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術(shù)，號(hào)稱相比第一代7nm工藝可以將晶體管密度提升18％，同時(shí)設(shè)計(jì)規(guī)則完全兼容第一代7nm，便于升級(jí)遷移，降低成本。

臺(tái)積電6nm預(yù)計(jì)2020年第一季度試產(chǎn)，適合中高端移動(dòng)芯片、消費(fèi)應(yīng)用、AI、網(wǎng)絡(luò)、5G、高性能計(jì)算等。

Intel：14nm我改進(jìn)了一次又一次，也只是叫14nm+、14m++，臺(tái)積電、三星你們太過(guò)分了……