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            MRAM將改變半導(dǎo)體市場的格局?三星已開始大量生產(chǎn)

            作者: 時(shí)間:2019-03-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

              據(jù)報(bào)道,已開始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器()。預(yù)計(jì)將改變半導(dǎo)體市場的格局,因?yàn)樗婢逥RAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201903/398326.htm

              3月6日宣布,已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上,開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式,標(biāo)志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨。

              這種解決方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù),并實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。表示,由于它在斷電時(shí)保存了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),并且不使用額外的備用電源,所以它的功耗也很優(yōu)秀。

              三星將FD-SOI工藝與嵌入式設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合。在FD-SOI工藝中,硅片上覆蓋一層絕緣膜,在頂部形成晶體管。它的特點(diǎn)是大大降低了晶體管運(yùn)行過程中產(chǎn)生的漏電流。該公司在FD-SOI進(jìn)程中添加了嵌入式內(nèi)存技術(shù)。嵌入式存儲(chǔ)技術(shù)是一種存儲(chǔ)模塊,用于小型電子設(shè)備的微控制器單元(MCU)和片上系統(tǒng)(SoC)等系統(tǒng)半導(dǎo)體中存儲(chǔ)信息。

              三星電子表示,該解決方案結(jié)構(gòu)簡單,可以通過在當(dāng)前基于邏輯流程的設(shè)計(jì)中添加最少的層數(shù)來實(shí)現(xiàn),從而減輕了公司進(jìn)行新設(shè)計(jì)的負(fù)擔(dān),并降低了生產(chǎn)成本。三星計(jì)劃擴(kuò)大其嵌入式內(nèi)存解決方案,從今年生產(chǎn)1塊Gbe MRAM測(cè)試芯片開始。

              行業(yè)分析師表示,隨著eMRAM的推出,三星將增加其代工銷售,同時(shí)增強(qiáng)其在代工方面的競爭力,以確保在未來半導(dǎo)體市場占據(jù)領(lǐng)先地位。

              三星計(jì)劃明年推出18納米FD-SOI eMRAM工藝。



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