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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
- 關鍵字： 鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
【供應商亮點】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術集成至Gravity SUV車型
- Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機存取存儲器（MRAM）解決方案的美國企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動運動型多用途車中使用其PERSYST MRAM產(chǎn)品。Everspin旗下PERSYST產(chǎn)品線中的一款256Kb串行MRAM產(chǎn)品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號，是因為它能夠在較寬
- 關鍵字： Everspin Lucid Motors MRAM Gravity SUV車型
MRAM，新興的黑馬
- 1956 年，IBM 推出世界上第一個硬盤驅(qū)動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。此后，隨著科技的進步，內(nèi)存技術逐漸發(fā)展。動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），具有較快的讀寫速度，能夠滿足計算機系統(tǒng)在運行過程中對數(shù)據(jù)的快速存取需求。固態(tài)硬盤（SSD）以其高速的讀寫性能、低功耗和抗震動等優(yōu)點，逐漸取代傳統(tǒng)磁盤成為主流存儲設備之一。存儲技術仍舊在持續(xù)發(fā)展，近年來新型存儲技術如雨后春筍般涌現(xiàn)，諸如相
- 關鍵字： 磁變存儲器 MRAM
臺積電新型存儲技術問世，功耗僅為同類技術的1%
- 臺積電利用其自身先進的制程優(yōu)勢，正在積極推動新型存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
- 關鍵字： MRAM
MRAM：RAM和NAND再遇強敵
- M 是一種非易失性存儲技術，通過磁致電阻的變化來表示二進制中的 0 和 1，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于 DRAM 內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于 DRAM。被大廠看好的未來之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對 MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調(diào)。20
- 關鍵字： MRAM
迷人的新型存儲
- 多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進制程?，F(xiàn)代社會已經(jīng)進入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導體技術所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來越小，成本越來越低，性能越來越強?！沟且呀?jīng)開始出現(xiàn)無法超越的
- 關鍵字： MRAM ReRAM PCRAM
工業(yè)儲存技術再進化 完美內(nèi)存MRAM現(xiàn)身
- 近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。內(nèi)存是所有微控制器嵌入式系統(tǒng)的主要組件，閃存（Flash）儲存技術早已成為工控設備的主流配備。近年來，半導體先進制程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國防航天等領域都可以應用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。新一代嵌入式內(nèi)存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運算需求，
- 關鍵字： 工業(yè)儲存 MRAM
MRAM技術新突破！臺灣清大團隊發(fā)表新磁性翻轉技術
- 全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！ RAM為非揮發(fā)性存儲器技術，斷電時利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結構如三明治，上層是自由翻轉的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！ ∑?/li>
- 關鍵字： MRAM DRAM
MRAM將改變半導體市場的格局？三星已開始大量生產(chǎn)
- 據(jù)報道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點?！ ∪?月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨?！ ∵@種解決方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
- 關鍵字： MRAM 三星
聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術開發(fā)MRAM及相關28納米產(chǎn)品
- 聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內(nèi)存的磁阻式隨機存取內(nèi)存(MRAM)。同時聯(lián)華電子也將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司?！ ÷?lián)華電子根據(jù)此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內(nèi)存模塊整合至應用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(So
- 關鍵字： 聯(lián)華電子 MRAM 28納米
嵌入式存儲器的過去與現(xiàn)在
- 近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年
- 關鍵字： 嵌入式存儲器 MRAM eRRAM 物聯(lián)網(wǎng)
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